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判断题
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
A

对

B

错

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考题 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅
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考题 多选题疲劳断裂的断口的三个区域分别为（）A裂源区B放射区C疲劳扩展区D瞬时断裂区
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考题 填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。
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