网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

Ⅲ污秽等级区域,接触网绝缘爬电距离不小于()mm。

  • A、1200
  • B、1400
  • C、1600
  • D、1800

参考答案

更多 “Ⅲ污秽等级区域,接触网绝缘爬电距离不小于()mm。A、1200B、1400C、1600D、1800” 相关考题
考题 接触网绝缘子的爬电距离不少于()。A.100mmB.200mmC.250mmD.300mm

考题 绝缘子爬电比距应满足所处地区的污秽等级,不满足污秽等级要求时应(____)。增加爬距$; $采取防污闪措施$; $加装伞裙$; $更换绝缘子

考题 影响污秽绝缘子闪络的主要因素是( )。A.污秽程度 B.大气湿度 C.爬电距离 D.绝缘子直径

考题 在变电所电气设备与工频电压的配合中,已知对处于I级污秽区的220kV变电所,标准要求设备户外电瓷绝缘的爬电比距应不小于1.60cm/kV。试计算设备户外电瓷绝缘的爬电距离L,并说明I级污移区电气设备爬电比距的取值应不小于1.60cm/kV时的户外电瓷绝缘的瓷件平均直径DM的大小。 I级污秽区电气设备爬电比距A的取值应不小于1.60cm/kV,是在户外电瓷绝缘的瓷件平均直径DM为()的条件下规定的。 A.Dm 3OOmm; B.300mm≤Dm≤400mm; C.300mm≤Dm≤500mm; D.Dm 500mm。

考题 若Ⅲ级污秽区爬电比距为2.5cm/kV,则变电设备爬电距离应不小于( )。

考题 影响污秽绝缘子闪络的主要因素是()。A、污秽程度;B、大气湿度;C、爬电距离;D、绝缘子直径。

考题 在轻、中污区(II级及以下),复合绝缘子的爬电距离()盘型绝缘子;在重污区(III级及以上),其爬电距离()盘型绝缘子最小要求值的3/4;瓷棒绝缘子爬电距离应不小于盘型绝缘子

考题 户外用避雷器外套的最小公称爬电比距,一般Ⅲ级污秽等级地区不小于()mm/kVA、25B、31C、35D、50

考题 装置额定绝缘电压660V,材料类别为Ⅲa,污染等级为3级,最小爬电距离应为12.5mm。

考题 按照污秽条件选择绝缘子片数的通用方法为()。A、经验判断法B、按绝缘子的人工污秽闪络特性C、按绝缘子的爬电距离D、按照污秽地区的污染程度

考题 在换流站运行阶段应密切跟踪换流站周围污染源及污秽度的变化情况,据此及时采取相应措施使设备()与所处地区的污秽等级相适应。A、绝缘距离;B、爬电比距;C、安全距离;D、干弧距离。

考题 Ⅰ、Ⅱ级污秽等级区域,接触网绝缘泄漏距离不小于1400mm。

考题 0、Ⅰ、Ⅱ级污秽等级区域,接触网绝缘泄漏距离不小于()mm;Ⅲ、Ⅳ级污秽等级区域,接触网绝缘泄漏距离不小于()mm。

考题 接触网绝缘部件的泄露距离,污秽地区不少于()mm。

考题 Ⅰ、Ⅱ级污秽等级区域,接触网绝缘泄漏距离不小于()mm。A、350B、500C、600D、1400

考题 绝缘子()应满足所处地区的污秽等级,不满足污秽等级要求的应采取防污闪措施。A、爬电比距B、干弧距离C、动稳定D、热稳定

考题 根据《输电设备状态评价标准》绝缘污秽情况:表面严重污秽,等值盐密不符合各污秽等级的要求;爬电比距不符合各污秽等级下爬电比距数值的要求。该设备属于()类设备。A、一B、二C、三D、四

考题 绝缘子爬电比距应满足所处地区的污秽等级,不满足污秽等级要求的应()措施。A、擦拭B、水冲洗C、更换绝缘子D、采取防污闪

考题 绝缘子爬电比距应满足所处地区的(),不满足污秽等级要求的应采取防污闪措施。A、污秽等级B、环境要求C、污秽环境D、具体要求

考题 如果现场污秽度等级接近变电站内设备外绝缘及绝缘子(串)的最大许可现场污秽度,应采取增加爬电距离或采用复合绝缘等技术措施

考题 户外终端外绝缘污秽等级代号下列正确的是()。A、I级(最小爬电比距12mm/kV)1B、II级(最小爬电比距20mm/kV)2C、III级(最小爬电比距25mm/kV)3D、IV级(最小爬电比距28mm/kV)4

考题 多选题影响污秽绝缘子闪络的主要因素是( )。A污秽程度B爬电距离C大气湿度D绝缘子直径

考题 单选题接触网绝缘子的爬电距离不少于()。A 100mmB 200mmC 250mmD 300mm

考题 单选题Ⅲ污秽等级区域,接触网绝缘爬电距离不小于()mm。A 1200B 1400C 1600D 1800

考题 单选题Ⅲ、Ⅳ级污秽等级区域,接触网绝缘泄漏距离不小于()mm。A 350B 500C 600D 1600

考题 判断题Ⅰ、Ⅱ级污秽等级区域,接触网绝缘泄漏距离不小于1400mm。A 对B 错

考题 填空题0、Ⅰ、Ⅱ级污秽等级区域,接触网绝缘泄漏距离不小于()mm;Ⅲ、Ⅳ级污秽等级区域,接触网绝缘泄漏距离不小于()mm。