考题
场效应管是( ) 器件。
A.电流控制电流B电流控制电压C电压控制电压D电压控制电流
考题
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( )。
A.增大B.不变C.减小
考题
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()
A.增大B.不变C.减小D.不确定
考题
由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。A．CMOS场效应管B．PMOS场效应管C．NMOS场效应管D．二簧继电器
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
下列描述正确的是（）A、场效应管是电压控制电流元件B、场效应管输入电阻较小C、场效应管是双极型晶体管
考题
摆动导杆机构的极位夹角与导杆摆角的关系为（）。
考题
场效应管与三极管相似，但两者的控制特性却截然不同，三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（）
考题
跨导gm反映了场效应管（）对（）控制能力，其单位为（）或（）。
考题
关于纯电阻的正弦交流电路，错误的说法是（）A、u与i的初相角一定为0°B、电流和电压的关系为C、电流和电压的关系为i=U/RD、电压和电流的关系为
考题
容性电路的电压与电流的相位关系为（）。A、电流超前于电压B、电压超前于电流C、电压与电流同相位
考题
已知场效应管的λ=0.01，IDQ=1mA，则rds为（）A、10kΩB、50kΩC、100kΩD、200kΩ
考题
场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。A、增大B、减小C、不变
考题
根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种（）器件。A、电压控制电压源B、电流控制电压源C、电压控制电流源D、电流控制电流源
考题
衡量场效应管控制能力的主要参数是（）A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、跨导D、转移电阻
考题
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
考题
场效应管是（）器件。A、电压控制电压B、电流控制电压C、电压控制电流D、电流控制电流
考题
场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。
考题
某场效应管IDSS=6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，试指出此场效管的类型。
考题
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。A、增大B、不变C、减小
考题
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
考题
单选题下列描述正确的是（）A
场效应管是电压控制电流元件B
场效应管输入电阻较小C
场效应管是双极型晶体管
考题
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A
对B
错
考题
填空题摆动导杆机构的极位夹角与导杆摆角的关系为（）。
考题
单选题场效应管是（）器件。A
电流控制电压B
电压控制电压C
电压控制电流D
电流控制电流
