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CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案

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考题 在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

考题 70、MOS场效应管有增强型和耗尽型两类,每类又有N沟道和P沟道两种。

考题 2、简述MOS场效应管的基本组成,并简要说明N沟道增强型MOS场效应管与P沟道耗尽型MOS场效应管电路符号的特点。

考题 P沟道增强型MOS管开启电压大于零,N沟道增强型MOS管开启电压小于零。()

考题 MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件,按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。

考题 6、MOS场效应管有增强型和耗尽型两类,每类又有N沟道和P沟道两种。

考题 4、N沟道增强型MOS管的开启电压VTN < 0, P沟道耗尽型MOS的开启电压VTP > 0。

考题 场效应管特性曲线仿真。要求: 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管,仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线,寻找其差别。