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QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。

  • A、0.2m
  • B、0.5m
  • C、1m
  • D、1.5m

参考答案

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考题 194、测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）。（A）西林电桥（QS1电桥）；（B）惠斯顿电桥测量；（C）凯尔文电桥测量。
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考题 测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）A西林电桥（QS1电桥）B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量
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考题 QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错
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考题 计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 在使用技术条件允许范围内，QS1交流电桥的测量灵敏度与试验电压成（）比，与标准电容器电容量成（）比。
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考题 采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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考题 QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
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考题 QS1型交流电桥是测量介质损耗正切值的专用仪器，适用于变压器、电机、电缆等高压设备介质损耗正切值的测量。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污
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考题 QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。
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考题 QS1电桥包括升压试验设备QS1电桥桥体及（）。A、标准电容器B、标准电感C、标准电阻
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考题 为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
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考题 现场试验中，使用QS1电桥测tgδ％，适合正接线的设备是（）。A、变压器本体B、变压器的电容型套管C、消弧线圈D、电磁式电流互感器本体
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考题 用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。A、10kVB、1.1倍相电压C、2.2倍相电压D、线电压
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考题 QS1电桥主要包括（）三部分。A、标准电容器B、QS1电桥桥体C、标准电阻D、升压试验设备
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考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 交流QS1电桥，虽然精度较低，但具有携带（），操作简单、适合（）使用的特点。电桥本体及标准电容器CN均具有加强绝缘，能适应10kV电压下（）测量的需要，可方便地用于现场外壳（）的试品。
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考题 如果QS1交流电桥的工作电压高于10kv，只能采用（）接线法，并配用（）标准电容器．
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考题 测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
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考题 变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
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考题 当采用QS1型西林电桥，以低压电源、CN＝0.01μF进行测量时，其Cx的可测范围是300pF～1000μF。
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考题 用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。A、10KvB、1.1倍相电压C、线电压
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
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考题 现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线。（）A、变压器本体B、变压器电容型套管C、耦合电容器D、CVT
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考题 问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时，试验电压为10千伏，标准电容CN为50皮法，电桥平衡时，R3为345欧，计算Cx之值（R4为定值3184欧）。
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考题 单选题QS1电桥包括升压试验设备QS1电桥桥体及（）。A 标准电容器B 标准电感C 标准电阻
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考题 问答题一台变压器，用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时，已知试验电压为10KV，标准电容CN为50皮法，分流器在0.06档，电桥平衡时，R3为64欧，e为0.4欧，tgδ为0.8%，试计算Cx之值（R4为3184欧）。
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