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硅铁生产中,炉内生成SiC的起()作用

  • A、减少Si的损失
  • B、降低炉渣中的SiO2
  • C、中间产物
  • D、导电

参考答案

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考题 关于为何要控制电极的入炉深度,下列说法正确的是()。 A、电极入炉过深,造成电极端头熔池狭小,电极周围坩埚壳下料口小,炉料不易进入,热效率低,反应生成的CO不易排出,容易引起喷料带走热量B、电极入炉太浅,造成明弧操作,热损失大,易烧坏设备;造成炉底温度低,三相不通,造成出炉困难C、电极入炉深度适当,有利于闭弧操作,形成稳定的料层结构,使热量得到充分利用,减少热损失,降低电耗,使炉况稳定D、防止电极过短时,炉料与铁作用生成硅铁损坏炉壁铁壳或出炉时烧坏炉嘴、电石锅

考题 Si、Mn元素能显著提高铁素体强度和硬度,当加入()时,将使钢塑性明显降低。 A.SiB.SiC.Si1.5%D.Si>0.8%、Mn

考题 炉渣中FeO含量升高,铁中Si含量便__________。

考题 全天生产75%硅铁50吨,消耗95吨硅石(SiO2=98%),硅微粉回收量10吨、SiO2=95%,炉渣量为铁量的3%,炉渣中SiO2=30%,计算Si的回收率。

考题 适当减少炉膛过量空气系数会造成()A、炉渣熔点降低B、炉内存在还原气体C、机械不完全燃烧损失减少D、化学不完全燃烧损失减少

考题 八吨中频炉内有6吨铁水,铁水成分C://3.3%,Si:1.55%。要将其碳量提至3.40%,硅量提至1.80%,需要加多少公斤Z14生铁及75硅铁?(生铁成份C://4.0%,Si:1.4%,75硅铁综合吸收率按60%)

考题 某厂冲天炉配料生铁50%,废钢20%,回炉料30%,75硅铁是金属料的0.8%熔出的铁水成分C3.8%,Si1.0%,求此炉熔炼时的渗碳率和硅的烧损率。(炉料成分生铁C4.0%,Si1.0%,废钢C0.2%,Si0.4%,回炉料C3.5%,Si2.6%,75硅铁含硅75%)。

考题 钢中内生类非金属夹杂物主要来自()A、炼钢炉内炉渣卷入B、炉衬材料混入C、连铸结晶器保护渣卷入D、脱氧反应产物

考题 硅铁生产中,炉内生成SiO的起()作用A、减少Si的损失B、降低炉渣中的SiO2C、中间产物D、改善透气性

考题 硅铁生产中Si损失的主要途径是()A、烟尘B、炉渣C、浇注D、夹铁吊运

考题 硅铁冶炼炉渣的来源有哪些?硅铁炉渣的主要成份有哪些?

考题 焦炭的粒度对硅铁冶炼的影响很大,粒度大,()小,炉料导电性强,电极()深插,炉口()高,热损失大,电耗增加。

考题 硅铁生产中Si损失的主要途径是()

考题 炼钢生铁生产中,生铁中的Si主要来自()。A、焦炭灰分B、烧结矿C、球团矿D、炉渣

考题 炉渣在转弧炉冶炼中起什么作用?

考题 锰硅生产中,用碳从液态炉渣中还原硅和锰硅合金的总反应式为()

考题 硅铁冶炼属()法生产,但实际生产中总是有点炉渣,每生产一吨75%硅铁,其渣量约为()

考题 生铁中的Si主要来自()。A、炉渣中的SiO2B、矿石中的SiO2C、焦炭中的SiO2D、煤粉中的SiO2

考题 根据高炉内硅还原的机理,降低生铁含硅的途径是:首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度;其次降低风口前燃烧温度,直接减少SiO的发生量;三是应减少入炉的SiO2量,降低炉渣中SiO2的活度。

考题 下列()是硅还原的特点?A、硅在炉腰或炉腹上部开始还原B、铁中含硅量是最终铁含硅量的2.34-3.87倍C、硅在炉腹中部还原量最大D、硅在滴落带内被大量还原

考题 关于高炉内Si的还原叙述正错误的是()A、Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行B、提高炉温有利于Si的还原C、提高炉渣碱度有利于Si的还原D、高压操作利于冶炼低硅生铁

考题 炉渣在炉内的作用有:()A、分离渣铁。B、利用炉渣来脱硫,控制[Si]量来保证生铁质量。C、在炉衬上结成渣皮保护炉墙延长高炉寿命。

考题 LF炉生产中碳、高碳钢时,影响钢液配碳的因素有()。A、炉渣的碱度B、炉渣的导电性C、炉渣的表面张力D、炉渣的黏度、流动性、还原性、搅拌强度

考题 冶炼低硅尘铁,适当提高炉渣碱度是因为()。A、提高炉渣的脱硫能力B、降低炉渣的熔化温度C、保证充足炉温D、抑制锰的还原从而抑制硅的还原

考题 铸铁碳硅当量(CE)的计算式是()。A、CE=C+SiB、CE=C÷SiC、CE=C+1/3(Si+p)D、CE=Si÷C

考题 某厂冲天炉配料:生铁55%,废钢20%,回炉料25%,75硅铁是金属料重的0.8%,熔炼出的铁水成分:C://3.80%,Si:1.44%,计算此炉熔炼时的渗碳率和硅的烧损率?(炉料成分:生铁C://4.0%,Si:1.0%,废钢C://0.2%,Si0.4%,回炉料C://3.5%,Si:2.6%)

考题 氧化物陶瓷的主要成分是()A、Al2O3B、SiO2C、Si3N4D、SiC