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判断题
一般说来,结晶粗大,说明缝洞规模大,晶体小,他形晶越多,说明结晶空间狭窄、缝洞小。
A

B


参考答案

参考解析
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考题 游离二氧化硅由于晶体结构不同致纤维性变能力表现为A、结晶型>无定型>隐晶型B、隐晶型>结晶型>无定型C、结晶型>隐晶型>无定型D、隐晶型>无定型>结晶型E、无定型>隐晶型>结晶型

考题 对于相等的结晶产量,若在结晶过程中晶核的形成速度远大于晶体的成长速度,则产品中晶体的形态及数量分别为( )A.小而少B.大而少C.小而多D.大而多

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考题 近共晶的A.l-Si二元合金的结晶温度区间小,硅的结晶潜热大,故流动性能为铸铝合金中的冠军。

考题 晶界越多,则晶体的塑性变形抗力越()。A、大B、小C、不变D、不确定

考题 在改善房屋结构中对存在裂缝、孔洞进行修补时,下列哪一项不属堵洞抹缝工作()A、缝洞可用水泥堵B、缝洞可用油灰嵌C、缝洞可用硅胶堵嵌D、缝洞可用胶饵抹缝

考题 在结晶操作中,加入晶种粒子大,长出的结晶颗粒()A、也大B、小C、适中D、参差不齐

考题 对于相等的结晶产量,若在结晶过程中晶核的形成速度远大于晶体的成长速度,则产品中晶体的形态及数量分别为()A、小而少B、大而少C、小而多D、大而多

考题 晶态高聚物与小分子晶体的溶解过程的区别,下列说法中正确的是()。A、结晶高聚物的熔融过程是折线,小分子晶体的熔融过程是渐近线。B、结晶高聚物的熔点无记忆性,小分子晶体的熔点由记忆性。C、结晶高聚物的熔点温度范围窄,小分子晶体的熔点温度范围宽。D、结晶高聚物的熔点与两相的组成有关,小分子晶体的熔点与两相的组成无关。

考题 晶体自形程度与结晶顺序、结晶温度的关系是()A、它形晶结晶温度低B、自形晶结晶早C、自形晶结晶温度高D、半自形晶晚于它形晶结晶

考题 同钎料结晶温度间隔过(),易导致钎缝开裂。A、大B、小

考题 大、小避车洞在设置时,应()A、分别考虑间距,有大避车洞的地点,不再设小避车洞;B、统一考虑间距,有小避车洞的地点,不再设大避车洞;C、统一考虑间距,有大避车洞的地点,不再设小避车洞;D、分别考虑间距,二者无关。

考题 采用纵缝分块时,纵缝间距越大,则块体水平断面越(),则纵缝数目和缝的总面积越()A、大;小B、小;小C、小;大D、多;大

考题 一般来说,结晶粗大说明();晶体小、他形晶多说明结晶()、()。

考题 判断题一般说来,结晶粗大,说明缝洞规模大,晶体小,他形晶越多,说明结晶空间狭窄、缝洞小。A 对B 错

考题 填空题一般来说,结晶粗大说明();晶体小、他形晶多说明结晶()、()。

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考题 单选题碳酸盐岩岩心描述时,要描述缝洞组合关系,缝洞组合通常有()。A 缝连洞、缝中缝、洞中缝、三种B 缝连洞、缝中缝、缝中洞、裂缝相切割四种C 缝中洞、缝中缝、裂缝相切割三种D 缝连洞、洞中洞、缝中洞、裂缝相切割四种