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晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（）。

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考题 两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为()。 A、βB、β2C、2βD、1+β
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考题 有一个晶体管继电器电路,其晶体管集电极与继电器的吸引线圈相串联,继电器的动作电流为6mA。若晶体管的电流放大系数β=50,要使继电器开始动作,晶体管的基极电流至少应为()。
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考题 硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
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考题 晶体管电路图如下，已知各晶体管的β=50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（　　）。
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考题 晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。ANPN型晶体管；BPNP型晶体管；C硅管；D锗管。
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考题 固定偏置放大电路中，晶体管的β=50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）。A、增加B、减少C、基本不变D、无法判断
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考题 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
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考题 绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
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考题 电流放大系数为β1和β2的两个晶体管构成等效复合晶体管，其等复合管的β值约为（）。A、β1B、β2C、β1+β2D、β1•β2
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考题 固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）A、增加B、减少C、基本不变
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考题 带阻晶体管即（）。A、带有一个或两个电阻的晶体管B、具有电阻特性的晶体管
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考题 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
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考题 请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）.A、晶体管的相对导通时间B、晶体管的导通时间C、晶体管的截止时间D、晶体管的相对截止时间
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考题 晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
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考题 什么是晶体管中的复合管？
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考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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考题 填空题请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 填空题请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管 （）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 单选题晶体管按导电类型可分（）。A NPN型及PNP型晶体管B N型晶体管C P型晶体管D PNP晶体管
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考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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考题 填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
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考题 填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
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考题 填空题晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（）。
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考题 单选题固定偏置放大电路中，晶体管的β=50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）。A 增加B 减少C 基本不变D 无法判断
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