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对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
A．突触前轴突末梢超极化
B．对Ca2+、K+通透性增大
C．突触后膜出现超极化
D．突触后膜去极化
E．突触前膜去极化
参考答案
更多 “ 对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触前轴突末梢超极化B．对Ca2+、K+通透性增大C．突触后膜出现超极化D．突触后膜去极化E．突触前膜去极化 ” 相关考题
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是 ( )
A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高B.突触前轴突末梢去极化C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.Ca2+由膜外进人突触前膜内E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大B．突触后膜去极化C．突触后膜出现超极化D．突触后膜出现复极化
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