网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形。(Infineon笔试)


参考答案

更多 “ 给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形。(Infineon笔试) ” 相关考题
考题 画出标准操作冲击电压全波波形,并给出IEC推荐的波形参数。

考题 已知电路及输入信号波形如图4-13所示.试画出主从JK触发器的Q'.Q端的波形,触发器初始状态为0.

考题 声卡的组成很简单,它主要由一块声频处理芯片,一块音频综合芯片和一块放大器电路组成。波形声音输入计算机时,信号的取样与量化是由【 】完成的。

考题 试分别画出图4-30(a)电路输出端Y、Z和图4-30(b)电路输出端Q2的波形.输入信号A和CP的电压波形如图4-30(c)所示,各触发器的初始状态为0.

考题 试画出图4-15中各触发器Q端波形.设初始状态均为0.

考题 给出一个简单电路,让你分析输出电压的特性(就是个积分电路),并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题)

考题 画出NOT,NAND,NOR的符号,真值表,还有transistor level的电路。(Infineon笔试

考题 给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 -14b),问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题,记不起来了。(降低温度,增大电容存储容量)(Infineon笔试)

考题 画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。(Infineon笔试试题)

考题 给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9-14b),问你有什么办法提高*** time,总共有5个问题,记不起来了。(降低温度,增大电容存储容量)(Infineon笔试)

考题 NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是() A.NOR的读速度比NAND稍慢一些B.NAND的写入速度比NOR慢很多C.NAND的擦除速度远比NOR的慢D.大多数写入操作需要先进行擦除操作

考题 试画出图题2-1 (a) 所示电路在输入图题2-1 (b)波形时的输出端B、C的波形。图题2-1

考题 逻辑电路与其输入端的波形如图题4-5所示,试画出逻辑电路输出端Y的波形。图题4-5

考题 对于图题4-21所示波形作为输入的电路,试画出其输出端的波形。

考题 画出图题5-9所示的正边沿触发JK触发器输出Q端的波形,输入端J、K与CLK的波形如图所示。(设Q初始状态为0)

考题 试画出图题5-14所示各触发器输出Q端的波形,CLK、 A和B的波形如图所示。(设Q初始状态为0)

考题 试画出图题5-15所示各触发器输出Q端的波形,CLK 的波形如图所示。(设Q初始状态为0)

考题 画出图题5-4所示的电平触发D触发器输出Q端的波形,输入端D与CLK的波形如图所示。(设0初始状太为0)

考题 试画出图题5-19所示电路中触发器输出Q1、Q2端的波形,输入端CLK的波形如图所示。(设Q初始状态为0)

考题 画出图题5-1所示的SR锁存器输出端Q、端的波形,输入端与的波形如图所示。(设Q初始状态为0)

考题 画出图题5-5所示的边沿触发D触发器输出端Q端的波形,输入端D与CLK的波形如图所示。(设Q初始状态为0)

考题 根据《波形梁钢护栏第2部分:三波形梁钢护栏》(GB/T 31439.2-2015)规定,三波形梁钢护栏由( )等构件组成。A.三波形梁板 B.过渡板 C.立柱 D.拼接螺栓

考题 进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是( )。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些 B.NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些 C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些 D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

考题 NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

考题 简述正常心电图的波形组成和各波的意义?

考题 NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是()A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

考题 单选题传感器由()组成。A 硬盘和波形整形电器B 软盘和波形整形电器C 软盘和波形电器D 硬盘和波形电器