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上釉的烧结温度是（）。

  • A、低于体瓷烧结温度5℃
  • B、低于体瓷烧结温度10℃
  • C、高于体瓷烧结温度5℃
  • D、高于体瓷烧结温度10℃
  • E、以上均不正确

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考题 上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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考题 若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃
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考题 用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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考题 自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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考题 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
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考题 上釉的烧结温度是A．低于体瓷温度5℃B．低于体瓷温度10℃C．低于体瓷温度20℃D．高于体瓷温度5℃E．高于体瓷温度10℃
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考题 除气、氧化的方法是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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考题 金属烤瓷材料中，烧结温度最低的瓷是（）A、遮色瓷B、体瓷（牙本质瓷）C、颈瓷D、釉瓷
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考题 单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（　　）。A B C D E
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考题 单选题若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（　　）。A 高20～30℃B 高10～20℃C 高10℃以内D 低10℃以内E 低10～20℃
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考题 单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A 低于体瓷烧结温度5℃B 低于体瓷烧结温度10℃C 高于体瓷烧结温度5℃D 高于体瓷烧结温度10℃E 以上均不正确
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考题 单选题PFM冠上釉时的炉温是（　　）。A 与体瓷的烧结温度相同B 低于体瓷烧结温度6～8℃C 低于体瓷烧结温度10～20°CD 高于体瓷烧结温度6～8℃E 高于体瓷烧结温度10～20℃
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