考题
硅整流二极管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
考题
晶闸管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压
考题
晶闸管反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()。
A、50VB、80VC、100VD、120V
考题
晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。
A、100VB、120VC、150VD、180V
考题
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
考题
晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
考题
允许重复加在晶闸管两端的电压为（）。A、正向转折电压的有效值B、反向转折电压的有效值C、正反向转折电压的峰值减去100VD、正反向转折电压的峰值
考题
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
考题
断开控制极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。
考题
晶闸管反向重复峰值电压（有称反向阻断峰值电压）规定比反向击穿电压小（）V。A、50B、80C、100D、120
考题
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是（）V。 A、200B、500C、700D、1200
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的关系为（）A、反向峰值电压较小B、反向转折电压较大C、两者相等D、反向峰值电压大于反向转折电压
考题
如某晶闸管的正向重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
考题
晶闸管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
考题
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
考题
通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正向电压和最大反向电压的（）倍。A、1～1.5B、1.5～2C、2～2.5D、2.5～3
考题
KP10-20表示普通反向阻断型晶闸管的正反向重复峰值电压（）。A、1000VB、10VC、2000VD、20V
考题
晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
考题
晶闸管阳阴极间加上正向电压而控制极不加电压，此时晶闸管处于（）状态。A、正向阻断B、反向阻断C、反向导通D、正向导通
考题
晶闸管的主要参数有（）。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
