考题
就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。
A、多B、少C、大D、小
考题
BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A、结电容随反向电压线性变化B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小C、反向电压变化不影响结电容变化
考题
高频信号发生器的频率调整旋钮，主要是用来改变主振荡回路的（）A、电压高低B、可变电容器容量C、电流大小D、可变电阻器阻值
考题
点接触二极管，其结电容小。它适合于（）电路。A、高频B、低频C、小功率整流D、整流
考题
点接触型二极管的特点是（）。A、PN结面积小B、结电容小，通过的电流小C、常用于高频、检波D、以上三项
考题
（电容）滤波电路主要是在负载两端并联1个小容量的电容。
考题
变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
考题
影响放大电路低频区域频率特性的主要元件是（）。A、耦合电容B、管子内部结电容C、偏置电阻D、发射结电阻
考题
变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在（）状态。
考题
BJT用来放大时，应使发射结处于（）偏置，集电结型处于（）偏置；而工作在饱和区时，发射结处于（）偏置，集电结型处于（）偏置。
考题
若BJT发射结正向偏置，集电结反向偏置，则BJT处于（）状态。
考题
引起放大器放大倍数在高频段下降的原因是因为（）。A、电路中的耦合电容B、电路中的旁路电容C、电路中三极管的结电容
考题
当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
考题
三极管工作在饱和区时，发射结为（），集电结为（），工作在放大区时，发射结为（），集电结为（），此时，流过发射结的电流主要是（），流过集电结的电流主要是（）。
考题
在电子器件中，面接触型二极管的特点是（）。A、能通过较大电流B、高频性能好C、结电容小D、不适用于大功率
考题
耦合电容器的主要参数是（）A、标称电容量Cb和绝缘电阻B、介质损耗因数tgδ和额定电压C、标称电容量Cb和介质损耗因数tgδD、标称电容量Cb和高频等效电阻r
考题
点接触型二极管的特点是（）。A、结电容大，不适用高频B、因结面积小，不适用高频C、结电容小，可用于高频
考题
填空题晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。
考题
单选题微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A
结电容随反向电压线性变化B
结电容随着反向电压向负方向增大而减小C
反向电压变化不影响结电容变化
考题
填空题PN结总的电容应该包括势垒电容和（）之和。
考题
填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
考题
单选题影响放大器高频特性的原因是（）。A
极间耦合电容B
发射极旁路电容C
三极管结电容D
温度
考题
问答题在低频段的小信号等效电路中，要考虑哪些电容，不需要考虑哪些电容？在高频段呢？
考题
填空题扩散电容反映的是 PN 结的（）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（）；少子寿命越长，则扩散电容就越（）。
