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单选题
NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。
A

P阱，P沟

B

P阱、N沟

C

N阱、N沟

D

N阱、P沟

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
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考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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考题 填空题单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。
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考题 填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错
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考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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考题 问答题NMOS晶体管可分为哪种类型？
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考题 填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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考题 多选题按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道
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考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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考题 判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错
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考题 填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
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考题 单选题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。A 积累B 耗尽C 导通D 夹断
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考题 问答题对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？
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