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需要刷新的存储器是_____。

  • A、EPROM;
  • B、EEPROM;
  • C、静态RAM;
  • D、动态RAM。

参考答案

更多 “需要刷新的存储器是_____。A、EPROM;B、EEPROM;C、静态RAM;D、动态RAM。” 相关考题
考题 有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?死时间率是多少?

考题 由于动态存储器是破坏性读出,因此,需要刷新。() 此题为判断题(对,错)。

考题 静态存储器需要刷新,否则信息丢失。() 此题为判断题(对,错)。

考题 以下存储器中,需要周期性刷新的是()。A.DRAMB.SRAMC.FLASHD.EEPROM

考题 使用电容存储信息且需要周期性地进行刷新的存储器是______。A.DRAMB.EPROMC.SRAMD.EEPROM

考题 在Intel 2164动态RAM存储器中,对存储器刷新的方法是( )。A.每次一个单元B.每次刷新512个单元C.每次刷新256个单元D.一次刷新全部单元

考题 需要进行刷新的存储器是( )。A.SRAMB.DRAMC.ROMD.EPROM

考题 需要进行刷新处理存储器的是( )A.ROMB.EPROMC.DRAMD.SRAM

考题 以下存储器中,需要周期性刷新的是( )。 A.DRAM B.SRAM C.FLASH D.EEPROM

考题 需要刷新的存储器是()。A.SRAM B.DRAM C.ROM D.上述三种

考题 动态存储器,DRAM的三种刷新方式是()。A.集中刷新 B.分散刷新 C.同步刷新 D.异步式刷新

考题 需要定期刷新的存储器类型为()A、静态存储器B、动态存储器C、只读存储器D、易失性存储器

考题 静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

考题 以下几种存储器中,需要定期刷新的是:()A、静态RAMB、动态RAMC、EPROMD、FLASH

考题 需要定时刷新的存储器是()A、SRAMB、DRAMC、EPROM

考题 半导体随机存储器需要配置刷新电路,以便按时刷新。

考题 在工作过程中需要不断刷新的存储器是()A、SRAMB、DRAMC、PROMD、NVRAM

考题 有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

考题 静态存储器需要刷新,否则信息丢失。

考题 在内存储器中,需要周期性刷新的信息来自()A、PROMB、EPROMC、SRAMD、DRAM

考题 在计算机中,存储器分可刷新存储器和不可刷新存储器两种。

考题 单选题需要定期刷新的存储器类型为()A 静态存储器B 动态存储器C 只读存储器D 易失性存储器

考题 判断题半导体随机存储器需要配置刷新电路,以便按时刷新。A 对B 错

考题 单选题使用电容存储信息且需要周期性地进行刷新的存储器是()。A DRAMB EPROMC SRAMD EEPROM

考题 问答题有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

考题 问答题静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

考题 判断题静态存储器需要刷新,否则信息丢失。A 对B 错