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单选题
pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）
A

复合电流

B

漂移电流

C

扩散电流

D

漏电流

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考题 PN结正向偏置时 () A、P区接电源正极，N区接电源负极B、N区接电源正极， P区接电源负极C、正向电流较大D、正向电流较小
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考题 PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 PN结加正向偏置是指()。 A.P区接电源负极，N区接电源正极B.P区接电源正极，N区接电源负极C.P区和N区都接电源正极
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考题 PN结加正向电压，则（）A、内电场增强B、PN结电阻呈现无穷大C、PN结变厚D、有利于多子的扩散
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考题 当PN结加正向电压时，（）运动超过了内电场作用下的（）运动，形成较大的正向电流。
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考题 PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。A、正向B、反向C、零
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考题 PN结加正向电压时，其正向电流是（）。A、多子扩散而成B、少子扩散而成C、少子漂移而成D、多子漂移而成
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考题 PN结正向偏置是指P区接电源（）极，N区接电源（）极。
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考题 PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
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考题 PN结正向偏置时，其内电场被（）。A、削弱B、增强C、不变D、不确定
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考题 PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区，这种接法称为（）或（）。
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考题 当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
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考题 当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
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考题 PN结的P区接电源负极，N区接电源正级，称为（）偏置接法。A、正向B、反向C、零D、击穿
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考题 为什么PN结具有单向导电性（）。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
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考题 PN结正向导电时，外电场和内电场的方向（）A、相同B、相反C、外电场加强了内电场
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考题 单选题PN结正向偏置时，其内电场被（）A 削弱B 增强C 不变D 不确定
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考题 判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A 对B 错
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考题 填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
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考题 填空题当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
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考题 填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
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考题 填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
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考题 填空题当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
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考题 填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
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考题 填空题PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。
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考题 单选题PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。A 多子扩散B 少子扩散C 少子漂移D 多子漂移
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考题 填空题当PN结加正向电压时，（）运动超过了内电场作用下的（）运动，形成较大的正向电流。
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