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在N型半导体中（）为多子.

  • A、自由电子
  • B、空穴
  • C、正离子

参考答案

更多 “在N型半导体中（）为多子.A、自由电子B、空穴C、正离子” 相关考题
考题 N型半导体中的多子是( )。 A.电子B空穴C正离子D负离子
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考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在N型半导体中()。 A、只有自由电子B、只有空穴C、有空穴也有电子D、没有空穴也没有自由电子
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 在P型半导体中（）为少子.A、自由电子B、正离子C、空穴
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考题 关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
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考题 N型杂质半导体中，多数载流子是（）A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子
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考题 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
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考题 P型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、正离子
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考题 在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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考题 在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。
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考题 N型半导体中的多子是（）。A、电子B、空穴C、正离子D、负离子
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考题 P型半导体中多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子
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考题 N型半导体中多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子
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考题 P型半导体中的多子是（）。A、电子B、空穴C、正离子D、负离子
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考题 本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 N型半导体以（）导电为主。A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子
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考题 在本征半导体中，（）是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴
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考题 单选题在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A 空穴／自由电子B 自由电子／空穴C 空穴／共价键电子D 负离子／正离子
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考题 问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
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考题 单选题在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子
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考题 单选题N型杂质半导体中，多数载流子是（）A 正离子B 负离子C 空穴D 自由电子
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