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1、EPROM的特点是（）
A．电可擦除，电可编程
B．光可擦除，电可编程
C．电可擦除，光可编程
D．光可擦除，光可编程
参考答案和解析
错误
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考题
图2为常见ROM的分类图。图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A．PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROMB．EPROM、EEPROM、PROM、Flash ROMC．EEPROM、Flash ROM、PROM、EPROMD．Flash ROM、PROM、EPROM、EEPROM
考题
图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A．PROM、EPROM、EEPROM、FlashROMB．EPROM、EEPROM、PROM、FlashROMC．EEPROM、FlashROM、PROM、EPROMD．FlashROM、PROM、EPROM、EEPROM
考题
下列关于EPROM的叙述，正确的是A.EPROM是不可改写的只读存储器B.EPROM是可改写的随机存储器C.EPROM是利用电压变化可改写的读写存储器D.EPROM是可改写的只读存储器
考题
某微机系统中，用2片EPROM2716（2K×8）和2片SRAM2114（1K×4）组成存储器系统。已知EPROM在前，SRAM在后，起始地址为0800H。试写出每一存储芯片的地址空间范围。
考题
以下（）等是ROM类型存储器。A、PROM，EPROM，SRAM和CCDB、PROM，EPROM，PLA和DRAMC、PROM，EPROM，PLA和DROMD、PROM，EPROM，SROM和DROM
考题
在11型微机保护中用于存放整定值、程序、采样值和计算结果的
器件分别为：（）A、EPROM；EEPROM；RAMB、EEPROM；EPROM；RAMC、RAM；EEPROM；EPROM
考题
问答题请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。
考题
问答题某微机系统中，用2片EPROM2716（2K×8）和2片SRAM2114（1K×4）组成存储器系统。已知EPROM在前，SRAM在后，起始地址为0800H。试写出每一存储芯片的地址空间范围。
考题
填空题EPROM和E2PROM的区别是EPROM必须从（）才可进行擦写，而E2PROM擦写无需从计算机拆除。
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