离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高，并且杂质浓度更容易控制。

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考题在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

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考题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。() 此题为判断题(对，错)。

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考题与汇编程序相比,C语言程序的优点包括( )。 A、更容易移植B、更容易阅读C、目标代码质量较高D、能够进行位操作

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考题访问控制表与访问能力表相比，具有以下那个特点（）。A、访问控制表更容易实现访问权限的特点B、访问能力表更容易浏览访问权限C、访问控制表回收访问权限更困难D、访问控制表更适用于集中式系统

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考题与矿产硫磺相比，从石油、天然气中回收的硫磺具有纯度（）、对硫酸生产有害的杂质含量（）的特点。

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考题离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量

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考题例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

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考题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

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考题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

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考题第二类回火脆性产生的原因是（）的缘故。A、晶粒边界杂质浓度增高B、晶粒边界杂质浓度降低C、晶粒内部杂质浓度增高D、晶粒内部杂质浓度降低

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考题溶解乙炔与从乙炔发生器直接得到的气态乙炔相比，具有下列特点：具有较高的安全性方便卫生乙炔纯度高（）。

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考题晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合

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考题结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A、杂质浓度低，对结晶无明显影响B、杂质浓度高，影响结晶纯度C、杂质浓度高，改变晶习D、杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性

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考题与实验室实验相比，现场研究的优点有（）A、更客观B、更真实C、更容易操作D、可控性更高E、更具有科学性

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考题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

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考题半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

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考题单选题访问控制表与访问能力表相比，具有以下那个特点（）。A 访问控制表更容易实现访问权限的特点B 访问能力表更容易浏览访问权限C 访问控制表回收访问权限更困难D 访问控制表更适用于集中式系统

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考题判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。A 对B 错

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考题单选题结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A 杂质浓度低，对结晶无明显影响B 杂质浓度高，影响结晶纯度C 杂质浓度高，改变晶习D 杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性

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考题问答题与扩散源相比，离子注入有哪些优点？

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考题判断题离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。A 对B 错

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考题问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

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考题判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错

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考题问答题简述离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点。

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考题问答题试对比分析扩散工艺和离子注入工艺的特征和特点。

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考题问答题例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

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考题单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A 离子注入B 热扩散

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