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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。
参考答案
参考解析
解析：
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考题
抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征SXB
抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征D.突触前膜递质释放减少所致E.突触后膜对Na+通透性增加所致
考题
抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX
抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致
考题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Ca、K、Cl，尤其是Ca
B.Na、Cl、K，尤其是K
C.K、Ca、Na，尤其是Ca
D.K、Cl，尤其是Cl
E.Na、K，尤其是Na
考题
关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是（ ）。A.具有全或无性质
B.属去极化局部电位
C.由突触后膜对Na+通透性增加所致
D.属超极化局部电位
E.由突触前膜递质释放量减少所致
考题
判断题兴奋性突触后电位是由于突触后膜对K+（钾离子）的通透性增加所致A
对B
错
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