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题目内容
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对（）
- A、Cl-的通透性
- B、K+的通透性
- C、Na+的通透性
- D、Mg2+的通透性
参考答案
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考题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。A、突触前膜均去极化B、突触后膜均去极化C、突触前膜释放的递质性质一样D、突触后膜对离子通透性一样E、产生的突触后电位的最终效应一样
考题
单选题抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性？（ ）A
Na＋、Cl－，尤其是对K＋B
Ca2＋、K＋、Cl－，尤其是对Ca2＋C
Na＋、K＋，尤其是对Na＋D
K＋、Cl－，尤其是对Cl－E
K＋、Ca2＋、Na＋，尤其是对Ca2＋
考题
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（）A
兴奋性突触后电位和局部电位B
抑制性突触后电位和局部电位C
兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D
兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E
兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
单选题抑制性突触后电位是在突触后膜产生（）A
去极化B
超极化C
反极化D
复极化
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