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晶体管的专利申请时间是（）。

  • A、1945年
  • B、1946年
  • C、1947年
  • D、1948年

参考答案

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考题 跟DRAM相比，SRAM的特点是（）A、每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高B、每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高C、每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高D、每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低
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考题 焊接晶体管时，正确的操作方法是（）。A、可长时间加温B、焊接时间不宜过长C、电烙铁功率越大越好D、焊锡越多越好
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考题 晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）.A、晶体管的相对导通时间B、晶体管的导通时间C、晶体管的截止时间D、晶体管的相对截止时间
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考题 在晶体管调压器中，当发电机电压升高时，晶体管处于：（）.A、导通时间长，截止时间短B、导通时间短，截止时间长C、导通时间和截止时间都短D、导通时间和截止时间都长
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考题 晶体管调压器中，晶体管的占空比：（）A、与晶体管的相对导通时间成正比；B、与晶体管的导通时间成正比；C、与晶体管的截止时间成正比；D、与晶体管的相对截止时间成正比。
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考题 晶体管继电保护装置中，各种延时电路是利用电容充电或放电需要一定的时间的原理配合晶体管开关特性而构成的。
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考题 时间继电器按动作原理可分为（）及空气式等几大类。A、电动式、晶体管式B、电磁阻尼式、晶体管式C、电磁阻尼式、电动式、晶体管式
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考题 单结晶体管触发电路输出的脉冲宽度主要决定于（）A、单结晶体管的特性B、电源电压的高低C、电容的放电时间常数D、电容的充电时间常数
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考题 时间继电器按其动作原理可分为（）及空气式等几大类。A、电动式、晶体管式B、电磁阻尼式、晶体管式C、电磁阻尼式、电动式、晶体管式D、电动式、电磁阻尼式
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考题 单选题跟DRAM相比，SRAM的特点是（）A 每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高B 每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高C 每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高D 每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低
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考题 单选题晶体管的专利申请时间是（）。A 1945年B 1946年C 1947年D 1948年
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考题 单选题焊接晶体管时，正确的操作方法是（）。A 可长时间加温B 焊接时间不宜过长C 电烙铁功率越大越好D 焊锡越多越好
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考题 单选题我国确定专利申请的时间以（）为单位。A 小时B 半天C 天D 周
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