考题
晶闸管从阻断转为导通,必须同时具备的两个条件是( )。
A、阳极正向电压和门极反向电流B、阳极反向电压和门极反向电流C、阳极反向电压和门极正向电流D、阳极正向电压和门极正向电流
考题
硅整流二极管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
考题
晶闸管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压
考题
晶闸管的导通条件是加()。
A.反向阳极电压和正向门极电压B.反向阳极电压和反向门极电压C.正向阳极电压和正向门极电压D.正向阳极电压和反向门极电压
考题
要想使正向导通着的普通可控硅关断，只要( )即可。A.断开门极B.给门极加反电压C.阳极加反向电压或零电压D.给门极加正电压
考题
当晶闸管承受（）电压时，不论晶闸管承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。A、正向阳极B、正向门极C、反向阳极D、反向门极
考题
晶闸管门极断路而器件的结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压称为（）峰值电压。A、断态重复B、断态不重复C、反向重复D、反向不重复
考题
可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
考题
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
考题
断开控制极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。
考题
要想使正向导通着的普通晶闸管关断，只要（）即可。A、断开门极B、给门极加反相电压C、使通过晶闸管的电流小于维持电流D、给门极加正向触发脉冲信号
考题
晶闸管元件的主要特性有（）。A、阳极伏安特性B、门极特性C、断态重复峰值电压D、反相重复峰值电压
考题
当快速熔断器熔断时，应检查整流管的（）。A、反向重复峰值电压B、正向重复峰值电压
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是（）V。 A、200B、500C、700D、1200
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管导通必备的条件为（）。A、阳极加正向电压B、阴极加正向电压C、阳极加正向电压，同时在门极上加正向触发电压D、同时在门极上加反向电压
考题
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复平均电压D、正向不重复平均电压
考题
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
考题
晶闸管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
考题
断开控制极后，可重复加在阳极与阴极间的最大电压叫可控硅的反向峰值电压。
考题
晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
考题
晶闸管的主要参数有（）。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
单选题当门极断开（Ig=0），元件处在额定结温时，正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压（）%。A
70B
80C
90D
100
