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单选题
设计制作金属烤瓷冠基底蜡型时，在瓷和金属的结合处应做成（）。
A
直角
B
锐角
C
斜面
D
凸面
E
凹面
参考答案
参考解析
解析：
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考题
金-瓷修复体中金属基底冠蜡型的要求，不正确的是A、蜡型的厚度应均匀一致B、表面应光滑无锐角C、表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合D、金属衔接处应避开咬合功能区，防止瓷裂E、蜡型厚度应保证金属底冠为0.3mm厚度
考题
对于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述错误的是 ( )
A、蜡型厚度应在0.6mm以上以保证金属基底支架的强度B、表面呈凹凸状，利于金-瓷结合C、切缘应成锐角D、厚度均匀一致，表面光滑圆钝E、金-瓷衔接处应位于非咬合功能区
考题
金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是 ( )A.代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
B.上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
C.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉
D.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉
E.上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
考题
关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是 ( )A.金-瓷衔接处应在咬合功能区
B.切缘应成锐角
C.表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合
D.蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度
E.厚度均匀一致，表面光滑圆钝
考题
金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（）A、上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B、代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C、代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D、代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E、上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
考题
有关烤瓷金属基底桥蜡型，说法不正确的是（）。A、蜡型的厚度应均匀一致B、表面应光滑无锐角C、表面呈微小的凹凸状，利于金瓷结合D、金属衔接处应避开咬合功能区，防止瓷裂E、牙体缺损较大，留出瓷层1～1.5mm后，用蜡模恢复缺损
考题
关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是（）A、蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B、表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合C、切缘应成锐角D、厚度均匀一致，表面光滑圆钝E、金-瓷衔接处应在咬合功能区
考题
多选题对于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述错误的是（ ）A蜡型厚度应在0.6mm以上以保证金属基底支架的强度B表面呈凹凸状，利于金-瓷结合C切缘应成锐角D厚度均匀一致，表面光滑圆钝E金-瓷衔接处应位于非咬合功能区
考题
单选题关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是（）。A
蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B
表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合C
切缘应成锐角D
厚度均匀一致，表面光滑圆钝E
金-瓷衔接处应在咬合功能区
考题
单选题关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是（）A
蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B
表面成凹陷状，利于金-瓷压缩结合C
切缘应成锐角D
厚度均匀一致，表面光滑圆钝E
金-瓷衔接处应在咬合接触区
考题
单选题金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（）A
上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B
代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C
代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D
代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E
上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
考题
单选题金-瓷修复体中金属基底冠蜡型的要求，不正确的是（ ）。A
蜡型的厚度应均匀一致B
表面应光滑无锐角C
表面呈凹陷状，利于金—瓷压缩结合D
金属衔接处应避开咬合功能区，防止瓷裂E
蜡型厚度应保证金属底冠为0.3mm厚度
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