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单选题
再次免疫应答的特点下列哪项是错误的()
A

诱导潜伏期短

B

抗体维持时间长

C

抗体滴度高

D

优势抗体为IgG

E

优势抗体为IgM


参考答案

参考解析
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考题 有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是A、初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期长D、初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞

考题 再次免疫应答的特点下列哪项是错误的( )A、诱导潜伏期短B、抗体维持时间长C、抗体滴度高D、优势抗体为IgGE、优势抗体为IgM

考题 关于免疫耐受的叙述,下列哪项是错误的( )A、是一种非特异性的免疫应答B、是一种特异性免疫应答C、是免疫无应答状态D、是负免疫应答E、是免疫应答的一种重要类型

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考题 患者年轻男性,反复咳嗽半年入院,行胸片、结核抗体及PPD检查,诊断为肺结核下列哪项是结核病主要的免疫保护机制?( )A、体液免疫B、非特异性免疫C、由NK细胞介导的免疫防御作用D、由B细胞介导的免疫防御作用E、细胞免疫Koch现象是机体对结核杆菌初感染和再感染所表现出的不同免疫应答反应的现象,以下说法哪项正确?( )A、初次应答产生的抗体为高亲和性抗体B、初次应答产生的抗体主要是IgG分子C、再次应答则主要为IgM分子D、再次应答为高亲和性抗体E、再次应答为低亲和性抗体

考题 关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的

考题 再次免疫应答的特点下列哪项是正确的( ) A、诱导潜伏期短B、抗体维持时间长C、抗体滴度高D、优势抗体为IgGE、以上都是

考题 固有免疫细胞不具备的应答特点是A.直接识别病原体PAMPB.识别结合相应配体后,立即产生免疫应答C.经克隆扩增和分化后,迅速产生免疫效应D.没有免疫记忆功能,不能引起再次应答E.免疫应答维持时间较短

考题 哪项是再次免疫应答产生的主要抗体A.IgAB.IgDC.IgED.IgME.IgG

考题 以上哪项是再次免疫应答产生的主要抗体() A.IgA B.IgD C.ZgE D.IgM E.IgG

考题 再次免疫应答的特点下列哪项是错误的A.诱导潜伏期短B.抗体维持时间长C.抗体滴度高D.优势抗体为IgGE.优势抗体为IgM

考题 有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是A.初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgG B.再次应答抗体亲和力高 C.再次应答产生IgG的潜伏期长 D.初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞 E.再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞

考题 再次免疫应答的特点下列哪项是正确的( )A.诱导潜伏期短B.抗体维持时间长C.抗体滴度高D.优势抗体为IgGE.以上都是

考题 关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生

考题 再次免疫应答的显著特点下列哪项是错误的A、诱导潜伏期长B、抗体维持时间长C、抗体滴度高D、优势抗体为IgGE、优势抗体为IgA

考题 固有免疫细胞不具备的应答特点是()A、直接识别病原体PAMPB、识别结合相应配体后,立即产生免疫应答C、经克隆扩增和分化后,迅速产生免疫效应D、没有免疫记忆功能,不能引起再次应答E、免疫应答维持时间较短

考题 关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的()A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的

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考题 关于免疫记忆,下列哪项是错误的?()A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生

考题 TD-Ag引起免疫应答的特点是()。A、抗原需经过MHC分子的提呈B、可产生各种类型的抗体C、可发生再次免疫应答D、可诱导体液免疫和细胞免疫E、免疫应答部位在胸腺

考题 问答题简述再次免疫应答的特点。

考题 单选题固有免疫细胞不具备的应答特点是(  )。A 直接识别病原体PAMPB 识别结合相应配体后,立即产生免疫应答C 经克隆扩增和分化后,迅速产生免疫效应D 没有免疫记忆功能,不能引起再次应答E 免疫应答维持时间较短

考题 单选题再次免疫应答的特点下列哪项是错误的()A 诱导潜伏期短B 抗体维持时间长C 抗体滴度高D 优势抗体为IgGE 优势抗体为IgM

考题 单选题关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A 免疫应答过程中可产生Bm、TmB 在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C 记忆细胞表达CD45RAD 记忆细胞表面分子表达有改变E 再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生

考题 单选题再次免疫应答的特点下列哪项是正确的()A 诱导潜伏期短B 抗体维持时间长C 抗体滴度高D 优势抗体为IgGE 以上都是