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绒面结构及作用;单晶硅片和多晶硅片表面制作绒面结构所用的腐蚀剂及提高绒面结构质量采用的措施。
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考题
单晶硅电池的制造工艺主要流程为()A、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B、表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D、表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
考题
单选题硅片制备主要工艺流程是()A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
考题
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
考题
填空题硅片上的氧化物主要通过()和()的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为()。
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