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温度对半导体器件的工作性能没有影响。


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考题 发热会使导体机械强度下降,绝缘性能降低,接触电阻增大等。为了保证导体可靠地工作,按照有关规定,导体正常工作温度不应超过(),导体通过短路电流时,短路最高允许温度高于正常允许温度,对于铝导体,可取()。A、25℃;180℃B、70℃;200℃

考题 霍尔器件是一种采用半导体材料制成的()器件。 A、磁电转换B、光电转换C、压电转换D、温度转换

考题 在热电偶回路中,只要中间导体的两端(),那么接入中间导体后,对热电势没有影响 A.温度相同B.温度不同C.温度变化不定D.和温度没有关系

考题 半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。 A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线

考题 半导体器件的参数有多种测试方法,但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法,为此就应选用半导体管特性图示仪。() 此题为判断题(对,错)。

考题 晶闸管的管芯是四层()半导体板三端(A、K、G)器件,它决定晶闸管的性能。A、NPNPB、PNPNC、NPPND、PNNP

考题 半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体的()A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

考题 整流电路主要是利用()实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性

考题 半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是:良好的热性能。外壳应有小的(),使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。A、热阻B、阻抗C、结构参数

考题 半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

考题 主导TFT器件工作的半导体现象是什么?它的物理意义和主要影响参数?为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用,从半导体的角度应该提高什么,降低什么?

考题 半导体器件的参数有多种测试方法,但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法,为此就应选用半导体管特性图示仪。

考题 影响金属导体电阻值大小的因素有()。A、导体的材料导电性能B、导体的几何尺寸C、环境温度D、导体上的电压、电流的大小

考题 影响金属导体电阻值大小的因素有()。A、导体材料的导电性能B、导体的截面C、环境温度D、导体上的电压电流大小E、电阻率

考题 在热电偶回路中,只要中间导体的两端(),那么接入中间导体后,对热电势没有影响A、温度相同B、温度不同C、温度变化不定D、和温度没有关系

考题 影响半导体导电性能的主要因素是()。 A、压力B、随温度的上升,半导体的电阻率增大C、光照可以使导电能力减弱D、杂质

考题 基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件。

考题 光照对半导体的导电性能的影响()。A、很小;B、很大;C、不大;D、无。

考题 下述说法正确的是()。A、电气设备在正常工作状态下有电能消耗,因此会产生热量B、电子器件对温度非常敏感,必须采用各种冷却措施。其他电气设备则不需要采取冷却措施C、温度过高对设备寿命有直接影响,但对设备的控制性能影响不大D、温度过高对设备的控制性能有极大的影响,但对设备寿命影响不大

考题 半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

考题 比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()。A、GTRB、MOSFETC、IGBT

考题 当室内温度过低时,对电子产品及其生产的影响有()。A、影响元器件的电气性能和成品率B、影响精密电子设备及仪器的稳定性C、影响操作人员的工作情绪D、金属和塑料绝缘会因为收缩系数改变产生接触不良、密封开裂、焊点连接失败E、电子元器件容易损坏、性能恶化

考题 单选题对半导体光电导器件,以下说法中正确的是:()A 光电导器件只能测量交变光照,不需要加偏压即可工作;B 光电导器件只能测量稳定的光照,必须加偏压才能工作;C 光电导器件可以测量交变光照,必须加偏压才能工作;D 光电导器件只能测量稳定的光照,不需要加偏压即可工作;

考题 问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响?

考题 多选题当室内温度过低时,对电子产品及其生产的影响有()。A影响元器件的电气性能和成品率B影响精密电子设备及仪器的稳定性C影响操作人员的工作情绪D金属和塑料绝缘会因为收缩系数改变产生接触不良、密封开裂、焊点连接失败E电子元器件容易损坏、性能恶化

考题 单选题比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()。A GTRB MOSFETC IGBT

考题 问答题半导体中的杂质对半导体的能带结构和电学性质有何影响?