网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

孤立原子相互靠近时,为什么会发生能级分裂和形成能带?禁带的形成规律是什么?何为材料的能带结构? 


参考答案

更多 “孤立原子相互靠近时,为什么会发生能级分裂和形成能带?禁带的形成规律是什么?何为材料的能带结构? ” 相关考题
考题 关于能带描述正确的是() A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加

考题 K原子的4s和3d轨道哪一个能级高?H原子呢?为什么?

考题 入射光子激发原子从高能级跃迁到低能级时所发生的光辐射称为什么A.激发B.折射C.受激辐射D.辐射E.自发辐射

考题 关于原子能级的叙述,正确的是A.结合力与原子序数Z无关B.原子能级以电子伏特表示SXB 关于原子能级的叙述,正确的是A.结合力与原子序数Z无关B.原子能级以电子伏特表示C.距核越远的电子结合力越强D.靠近原子核的壳层电子结合力小E.每个轨道上电子的连续的能量值构成原子能级

考题 在固体的能带理论中,能带中最高能级与最低能级的能量差值即带宽,取决于聚集的原子数目。()

考题 原子轨道杂化形成杂化轨道后,其轨道数目、空间分布和能级状态均发生改变。()

考题 能带是许多原子聚集体中,有许多原子轨道组成的近似连续的能级带。()

考题 原子数目越多,分裂成的能带宽度越大。()

考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于( )。《》( )A.满带中 B.导带中 C.禁带中,但接近满带顶 D.禁带中,但接近导带底

考题 下列不是能带的是().A、价带B、电带C、导带D、禁带

考题 以下原子核()不能发生原子核能级的分裂。A、HA的电离常数B、A-的活度C、HA的浓度D、A+B+C

考题 激发是()。A、原子由于碰撞、被加热或光线照射而吸收能量的过程A、B、原子由于碰撞、被加热或光线照射而释放能量的过程B、C、当发生激发时,原子的外层电子跃迁到较高能级C、D、当发生激发时,原子的外层电子跃迁到较低能级

考题 原子当发生激发时,原子的外层电子跃迁到较低能级。该原子成为激发态原子

考题 具有未成对电子的两个原子相互靠近时可以形成稳定的共价键。

考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于()。A、满带中B、导带中C、禁带中,但接近满带顶D、禁带中,但接近导带底

考题 布里渊区的界面附近,费米面和能级密度函数有何变化规律?哪些条件下会发生禁带重叠或禁带消失现象?试分析禁带的产生原因。

考题 单选题核磁共振技术利用的是哪种能级?()A 原子核外电子的不同能级B 分子的转动或振动能级C 原子核在外加磁场中的塞曼能级劈裂D 原子核自旋与角动量耦合引起的能级分裂

考题 问答题什么叫能带、价带、导带和禁带?

考题 填空题半导体的中,()称为费米能级;对本征半导体,费米能级位于(),表示()。费米能级靠近导带,表示(),是()型半导体;费米能级靠近价带,表示(),是()型半导体。

考题 单选题以下原子核()不能发生原子核能级的分裂。A HA的电离常数B A-的活度C HA的浓度D A+B+C

考题 问答题试叙述原子能级与能带之间的对应关系?

考题 判断题具有未成对电子的两个原子相互靠近时可以形成稳定的共价键。A 对B 错

考题 单选题对于N型半导体来说,以下说法正确的是()A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶

考题 单选题半导体中施主能级的位置位于()。A 禁带B 满带C 导带D 价带

考题 单选题对于P型半导体来说,以下说法正确的是()A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶

考题 单选题晶体中大量原子集合在一起,原来相同的能级分裂为大量的与原来能级很接近的新能级,这些新能级所分布的能量范围称为()A 能带B 允带C 满带D 禁带

考题 单选题当单个原子的核外电子处在某一层轨道上时()A 这个原子的能级就完全确定了B 这个原子的能级形成连续的能带C 这个原子的能级还受电子角动量、自旋的影响D 原子核的自旋对能级没有影响