考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。A.CCD检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
考题
目前最常用的DR系统为A.CsI+CCD阵列B.非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.多丝正比电离室E.计算机X线摄影
考题
数字X线摄影(DR)不包括A.直接转换平板探测器B.间接转换平板探测器C.多丝正比室探测器D.闪烁体+CCD摄像机阵列E.线扫描计算机X线摄影
考题
多丝正比电离室探测器是A.间接探测器
B.直接探测器
C.动态探测器
D.平板探测器
E.模拟探测器
考题
属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室
考题
属于DR成像间接转换方式的部件是A.增感屏
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室
考题
应用CCD面阵结构的成像设备是（）A、扫描仪B、数码照相机C、CR数字X线摄影D、半导体狭缝扫描仪E、直接转换平板探测器
考题
属于DR成像直接转换方式的部件是（）A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
考题
属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
考题
DR成像设备类型包括（）。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR
考题
应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器
考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
考题
多丝正比电离室探测器是（）A、直接探测器B、间接探测器C、模拟探测器D、平板探测器E、动态探测器
考题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A、CCD检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
考题
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A
硒鼓检测器B
CR成像板（IP）C
直接转换平板探测器D
间接转换平板探测器E
多丝正比室检测器
考题
单选题多丝正比电离室探测器是（）A
直接探测器B
间接探测器C
模拟探测器D
平板探测器E
动态探测器
考题
单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A
增感屏B
非晶硒平板探测器C
碘化铯+非晶硅探测器D
半导体狭缝线阵探测器E
多丝正比电离室
考题
单选题属于DR成像直接转换方式的部件是（）A
闪烁体+CCD摄像机阵列B
非晶硒平板探测器C
碘化铯+非晶硅探测器D
半导体狭缝线阵探测器E
多丝正比电离室
考题
单选题应用CCD面阵结构的成像设备是（）A
扫描仪B
数码照相机C
CR数字X线摄影D
半导体狭缝扫描仪E
直接转换平板探测器
考题
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A
硒鼓检测器B
IP成像转换器C
直接转换平板探测器D
间接转换平板探测器E
多丝正比室检测器
考题
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A
间接转换平板探测器B
硒鼓检测器C
直接转换平板探测器D
IP成像转换器E
多丝正比室检测器
考题
单选题需通过光敏元件成像的探测器是（）A
空气电离室B
CCD探测器C
多丝正比电离室D
半导体狭缝扫描仪E
直接转换平板探测器
考题
单选题数字X线摄影（DR）不包括（ ）。A
直接转换平板探测器B
间接转换平板探测器C
多丝正比室探测器D
闪烁体＋CCD摄像机阵列E
线扫描计算机X线摄影
