考题
二极管加正向电压时,这个电压只要大于死区电压,电流便很快增长,二极管导通,这时电阻很小,此为二极管的()。
A、稳压特性B、反向击穿C、反向特性D、正向特性
考题
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
考题
锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。
考题
晶体二极管的主要特性参数有：①最大正向电流；②反向电流；③反向×××电压。
考题
普通晶体二极管的正向导通特性也具有稳定电压的作用。
考题
晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路
考题
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
考题
双向硅电压开关二极管正向和反向都具有相同的负阻开关特性。
考题
硅稳压管是具有特殊（）特性的晶体二极管。A、正向B、反向C、双向D、多向
考题
晶体二极管的正向特性具有稳压性能，可作低压稳压管使用。
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅稳压管的稳定电压是指（）。A、稳压管的反向截止电压B、稳压管的反向击穿电压C、稳压管的正向死区电压D、稳压管的正向导通电压
考题
晶体二极管正向导通的条件是其正向电压值（）。A、＞0VB、＞0.3VC、＞0.7VD、＞死区电压
考题
一般规定晶体二极管最高反向工作电压为（）的一半或三分之一。A、正向导通电压B、反向击穿电压C、死区D、反向截止电压
考题
当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路D、接通的开关
考题
对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）A、正向电阻很小B、反向电阻很大C、正向电压大于死区电压时才能导通D、反向电压多大都不会导通
考题
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
考题
晶体二极管具有（）特性，即正向（）反向（）。常用于（）、（）等。
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
晶体二极管的正向特性具有稳压性能，可作（）使用.
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
晶体二极管具有单相导电的特性，即正向电阻小，（）电阻大。
考题
单选题对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）A
正向电阻很小B
反向电阻很大C
正向电压大于死区电压时才能导通D
反向电压多大都不会导通
考题
单选题晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A
正向电压B
正向电流C
正向电极D
正向电路
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
判断题普通晶体二极管的正向导通特性也具有稳定电压的作用。A
对B
错
