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什么是存储器的非破坏性读出?


参考答案

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考题 在对破坏性读出的存储器进行读写操作时,为维持原存信息不变,必须辅以的操作是() A.刷新B.读后重写C.写保护D.主存校验

考题 存储的内容被读出后并不被破坏,这是什么设备的特性?A.随机存储器B.内存C.磁盘D.存储器

考题 由于动态存储器是破坏性读出,因此,需要刷新。() 此题为判断题(对,错)。

考题 只读存储器ROM的功能是____________。 A.只能读出存储器的内容且断电后仍保持;B.只能将信息写入存储器;C.可以随机读出或写入信息;D.只能读出存储器的内容且断电后信息全丢失

考题 随机读写存储器是一种既能读出又能写入的半导体存储器。 ( )

考题 在各种存储器中,闪速存储器是一种电可擦可编程的只读存储器,与E2PROM相比其特点是(8)。A.擦除和读出速度较快,可擦字节擦除B.擦除和读出速度较快,只能按数据块擦除C.擦除和读出速度较慢,只能按数据块擦除D.擦除和读出速度较慢,可按字节擦除

考题 下列关于存储器的描述,正确的有A.CPU访存时间由存储器容量决定 B.ROM和RAM在存储器中是统一编址的C.ROM中任一单元不可以随机访问 D.DRAM是破坏性读出,因此需要读后重写

考题 下列关于存储器的描述,正确的是(12)。A.CPU访存时间由存储器容量决定B.ROM和RAM在存储器中是统一编址的C.ROM中任一单元可以随机写入D.DRAM是破坏性读出,因此需要读后重写

考题 采用输入控制的T接线器,其话音存储器的工作方式是() A.顺序写入,控制读出B.控制写入,顺序读出C.控制写入,控制读出D.顺序写入,顺序读出

考题 下列关于主存储器的描述中,正确的是()。Ⅰ.CPU访存时间由存储器容量决定n.ROM和RAM在存储器中是统一编址的Ⅲ.ROM中任意一个单元可以随机访问Ⅳ.DRAM是破坏性读出,因此需要读后重写A.Ⅰ和Ⅱ B.Ⅱ和Ⅲ C.Ⅲ和Ⅳ D.Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ

考题 关于T接线器的输入控制方式,下列表述正确的是()。A.话音存储器控制写入、顺序读出 B.话音存储器顺序写入、控制读出 C.控制存储器控制写入、顺序读出 D.控制存储器顺序写入、控制读出

考题 什么叫非破坏性检验?

考题 PROM存储器的功能是()A、允许读出和写入B、只允许读出C、允许编程一次和读出D、允许编程多次和读出

考题 单管动态存储电路的读出操作是破坏性读出

考题 在对破坏性读出的存储器进行读/写操作时,为维持原存信息不变,必须辅以的操作是()。A、刷新B、再生C、写保护D、主存校验

考题 能随时写入数据又能随时读出数据的存储器是()。

考题 PLC配有的存储器中内容只能读出,不能写入的存储器是()。A、RAMB、ROMC、EPROMD、EEPROM

考题 时分接线器的输入控制方式是指话音存储器采用()。A、顺序写入,控制读出B、顺序写入,顺序读出C、控制写入,控制读出D、控制写入,顺序读出

考题 时分接线器的输入控制方式是指话音存储器()A、顺序写入;控制读出B、顺序写入;顺序读出C、控制写入;控制读出D、控制写入;顺序读出

考题 ROM是只读存储器,其中的内容只能读出一次,下次再读就读出不出来了。

考题 单选题时分接线器的输出控制方式是指话音存储器()A 顺序写入控制读出B 控制写入控制读出C 控制写入顺序读出

考题 单选题时分接线器的输入控制方式是指话音存储器采用()。A 顺序写入,控制读出B 顺序写入,顺序读出C 控制写入,控制读出D 控制写入,顺序读出

考题 单选题采用输入控制的T接线器,其话音存储器的工作方式是()A 顺序写入,控制读出B 控制写入,顺序读出C 控制写入,控制读出D 顺序写入,顺序读出

考题 问答题试问单管DRAM单元的读出是不是破坏性的?怎样补充这一不足?(选作)有什么办法提高refresh time?

考题 单选题时分接线器的输入控制方式是指话音存储器()A 顺序写入;控制读出B 顺序写入;顺序读出C 控制写入;控制读出D 控制写入;顺序读出

考题 单选题下列叙述中正确的是()。A CPU访问存储器的时间是由存储器的容量决定的,存储器容量越大,访问存储器所需的时间越长B 大多数个人计算机中可配置的内存容量仅受地址总线位数限制C 因为动态存储器是破坏性读出,所以必须不断地刷新D 一般情况下,ROM和RAM在存储体中是统一编址的

考题 问答题什么是存储器的非破坏性读出?