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晶体管特性图示仪中，基极电流的波形是按阶梯式变化的，集电极电压是按（）变化的。

  • A、阶梯式
  • B、阶跃式
  • C、正弦半波式
  • D、正弦全波式

参考答案

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考题 用晶体管特性图示仪测3DG12的共射极输出特性曲线时，集电极扫描信号和基极阶梯信号极性应分别置于()位置。A.—，—B.+，+C.+，—D.—，+
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 JT-1型晶体管图示仪“基极阶梯信号”中的串联电阻的作用是（）。A、限制基极电流B、将输入电流变化转变为电压变化C、将输入电压变化转变为电流变化D、限制功耗
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考题 从三极管的特性曲线上看，饱和区内的特点是（）。A、基极电流增加很多，集电极电流增加很小或不再增加B、基极电压增加很多，集电极电压不再变化
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考题 晶体管特性图示仪的功耗限制电阻相当于晶体管放大电路的（）电阻。A、基极B、集电极C、限流D、降压
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考题 用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，X轴作用开关应置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流或基极电压。
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考题 晶体管图示仪测量三极管时（）可以改变特性曲线族之间的间距。A、阶梯选择B、功耗电阻C、集电极―基极电流/电位D、峰值范围
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考题 晶体管特性图示仪中，基极电流波形是按阶梯式变化的，集电极电压是按（）变化的。A、阶梯式B、阶跃式C、正弦半波式D、正弦全波式
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考题 三极管共射极交流电流放大系数的定义是（）。A、集电极电流与基极电流之比B、集电极电压与基极电压之比C、集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比D、集电极电压的变化量与基极电压的变化量之比
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考题 用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，（）。A、X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于集电极电流B、X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于集电极电流C、X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于基极电压D、X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流
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考题 对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，同时在基极上也施加正电压，那么（）。A、集电极电流导通B、基极电流导通C、发射极电流导通D、电流都不导通
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考题 用晶体管图示仪测量三极管时，调节（）可以改变特性曲线族之间的间距。A、阶梯选择B、功耗电阻C、集电极－基极电流/电位D、峰值范围
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考题 晶体三极管具有电流放大特性：当在（）间加入一个变化很小的信号电压，基极电流只有微小的变化，而集电极电流便会引起很大的变化。A、电极与基极B、集电极与基极C、发射极与基极D、控制极与基极
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考题 JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中，功耗限制电阻的作用是（）A、限制集电极功耗B、保护晶体管C、把集电极电压变化转换为电流变化D、限制集电极功耗，保护被测晶体管
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考题 晶体管图示仪测量晶体管时（）可以改变特性曲线族之间的间距。A、阶梯选择B、功耗电阻C、集电极-基极电流/电位D、峰值范围
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考题 用晶体管图示仪观察三极管正向特性时，应将（）。A、X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于集电极电流B、X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于基极电流C、X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流D、X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于集电极电流
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考题 用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时，基极阶梯信号的极性开关应置于“+”，集电极扫描电压极性应置于“-”。
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考题 用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，X轴作用开关应置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。
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考题 晶体管特性图示仪可观测（）特性曲线。A、共基极B、共集电极C、共发射极D、A、B和C
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考题 单选题三极管共射极交流电流放大系数的定义是（）。A 集电极电流与基极电流之比B 集电极电压与基极电压之比C 集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比D 集电极电压的变化量与基极电压的变化量之比
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考题 单选题从三极管的特性曲线上看，饱和区内的特点是（）。A 基极电流增加很多，集电极电流增加很小或不再增加B 基极电压增加很多，集电极电压不再变化
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考题 单选题晶体三极管具有电流放大特性：当在（）间加入一个变化很小的信号电压，基极电流只有微小的变化，而集电极电流便会引起很大的变化。A 电极与基极B 集电极与基极C 发射极与基极D 控制极与基极
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