考题
单晶片直探头接触法探伤中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为（）A、近场干扰B、材质衰减C、盲区D、折射
考题
一般来说，下面哪种技术不适用于大直径棒材探伤（）A、接触法横波单探头B、水浸法聚焦探头C、接触法纵波单探头D、水浸法平探头
考题
一般来说，下面哪种技术不适用于小直径棒材探伤（）A、接触法横波单探头B、水浸法聚焦探头C、接触法纵波单探头D、接触法联合双探头
考题
采用什么超声探伤技术不能测出缺陷深度？（）A、直探头探伤法B、脉冲反射法C、斜探头探伤法D、穿透法
考题
用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用（）探伤A、纵波接触法B、水浸探伤法C、横波接触法D、表面波接触法
考题
单晶直探头接触法检测中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为（）。A、近场干扰B、衰减C、盲区D、折射
考题
在用5MHZΦ10晶片的直探头作水浸探伤时，所测结果：（）A、小于实际尺寸B、接近声束宽度C、大于实际尺寸D、等于晶片尺寸
考题
直探头接触法探伤时，（）要涂布耦合剂。A、探头与工件表面之间B、工件底面与空气之间C、仪器与探头之间D、以上都不对
考题
铸钢件毛坯接触法探伤主要使用的探头是高频直探头或斜探头
考题
铸钢件毛坯接触法探伤主要使用的探头是双晶纵波探头和塑料保护膜直探头。
考题
单晶片探头接触法探伤中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为盲区。
考题
直探头接触法探伤时，发现缺陷回波较低，且底面回波降低或消失的原因是与工件表面呈（）。
考题
直接接触法探伤可以使用（）。A、直探头B、斜探头C、双晶探头D、以上都可以
考题
探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤法，称为斜射法。
考题
接触法超声波探伤，探测距离较大时，为获得较为集中的能量，应选用（）直径晶片的探头。
考题
接触法超声波探伤，探测近距离（或小直径）工件时，为获得较大声场范围，可选用（）直径晶片的探头。
考题
探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法，称为（）。A、斜射法B、水浸法C、接触法D、穿透法
考题
在直接接触法直探头探伤时，底波消失的原因是（）。A、耦合不良B、存在与声束不垂直的平面缺陷C、耦合太好D、存在与始脉冲不能分开的近表面缺陷
考题
单选题用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用（）探伤A
纵波接触法B
水浸探伤法C
横波接触法D
表面波接触法
考题
填空题接触法超声波探伤，探测距离较大时，为获得较为集中的能量，应选用（）直径晶片的探头。
考题
单选题在用5MHZΦ10晶片的直探头作水浸探伤时，所测结果：（）A
小于实际尺寸B
接近声束宽度C
大于实际尺寸D
等于晶片尺寸
考题
单选题探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法，称为（）。A
斜射法B
水浸法C
接触法D
穿透法
考题
单选题一般来说，下面哪种技术不适用于小直径棒材探伤（）A
接触法横波单探头B
水浸法聚焦探头C
接触法纵波单探头D
接触法联合双探头
考题
单选题单晶直探头接触法检测中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为（）。A
近场干扰B
衰减C
盲区D
折射
考题
单选题单晶片直探头接触法探伤中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为：（）A
近场干扰B
材质衰减C
盲区D
折射
考题
单选题在直接接触法直探头探伤时，底波消失的原因是：（）A
耦合不良B
存在与声束不垂直的平面缺陷C
存在与始脉冲不能分开的近表面缺陷D
以上都是
考题
多选题在直接接触法直探头探伤时，底波消失的原因可能有（）A耦合不良B存在与声束不垂直的平面缺陷C存在与始脉冲不能分开的近表面缺陷D工件材料衰减过大