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STM32的Flash闪存编程一次可以写入（）

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  • B、8位
  • C、16位
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参考答案

更多 “STM32的Flash闪存编程一次可以写入（）A、4位B、8位C、16位D、32位” 相关考题
考题 关于Flash存储设备的描述,不正确的是()。 A、Flash存储设备利用Flash闪存芯片作为存储介质B、Flash存储设备采用USB的接口与计算机连接C、不可对Flash存储设备进行格式化操作D、Flash存储设备是一种移动存储交换设备
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考题 进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(13)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
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考题 进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A．B．C．D．
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考题 下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是：（）。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B.NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C.NOR Flash写入和擦除速度较慢D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
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考题 PROM存储器的功能是（）。A.允许读出和写入 B.只允许读出 C.允许编程一次和读出 D.允许编程多次和读出
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考题 EEPROM是()制度存储器。A.固定掩模型 B.一次可编程写入型 C.紫外线擦除可编程写入型 D.以上都不是
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考题 下列哪些不是STM32闪存存储器的特点（）A、大容量B、高速C、掉电不保存D、具有选择字节加载器
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考题 可编程控制器输入指令时，可以使用编程器来写入程序，所依据的是（）。
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考题 SAU升级操作前，需确保主机程序和数据已写入FLASH，当升级失败倒回，可以确保主机可以从FLASH迅速读取老版本程序和数据。
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考题 STM32嵌套向量中断控制器（NVIC）具有（）个可编程的优先等级。A、16B、43C、72D、36
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考题 下列哪种方法可以对STM32进行程序下载（）A、Keil ULinkB、J-LinkC、在应用编程D、以上都可以
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考题 STM32嵌套向量中断控制器（NVIC）具有可编程的优先等级的个数是（）A、16B、32C、48D、64
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考题 计算机中掩模ROM的特点是（）。A、可编程一次写入B、可擦写可编程写入C、电可擦写可编程D、出厂时由厂家一次制成
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考题 PROM是可编程只读存储器的缩写，它的内容（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
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考题 以下是关于闪存（FlashROM）的描述，错误的是（）。A、闪存是一种非易失性存储器B、闪存是一种可重写的存储介质C、闪存具有可重复编程的特性D、闪存存取速度比SRAM高
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考题 PROM存储器的功能是（）A、允许读出和写入B、只允许读出C、允许编程一次和读出D、允许编程多次和读出
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考题 Flash芯片烧写方式可以分为（）方式和在线编程模式两种。
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考题 下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B、NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C、NOR Flash写入和擦除速度较慢D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
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考题 闪存盘也称为“优盘”，它采用的是Flash存储器技术。
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考题 FLASH Memory（闪存）不属于只读存储器
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考题 EEPROM是电擦除可编程只读存储器的缩写，它的内容也由用户写入，（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
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考题 采用闪存（Flash Memory）介质的优盘使用（）。A、USB接口B、IDE接口C、SCSI接口D、PS/2接口
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考题 在STM32中，闪存存储器有主存储块和（）组成。
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考题 下列只读存储器中，仅能一次写入数据的是（）A、PROMB、EPROMC、Flash MemoryD、E2PROM
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考题 单选题计算机中掩模ROM的特点是（）。A 可编程一次写入B 可擦写可编程写入C 电可擦写可编程D 出厂时由厂家一次制成
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考题 单选题下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。A NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C NOR Flash写入和擦除速度较慢D 数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
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考题 单选题STM32的Flash闪存编程一次可以写入（）A 4位B 8位C 16位D 32位
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