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在单位晶胞的CaF2晶体中,其八面体空隙和四面体空隙的数量分别为()
- A、4,8
- B、8,4
- C、1,2
- D、2,4
参考答案
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考题
在通用声明中定义a,在窗体中添加一个命令按钮Command1,编写如下程序代码:DimaAsIntegerSubtest()a=a+1:b=b+1:c=c+1PrintSub:;a;,;b;,;cEndSubPrivateSubCommand1_Click()a=2:b=3:c=4CalltestCalltestEndSub程序运行后,单击命令按钮,窗体中将显示( )A.Sub:3,4,5Sub:4,5,6B.Sub:2,3,4Sub:2,3,4C.Sub:3,1,1Sub:4,1,1D.Sub:1,1,1Sub:1,1,1
考题
如下图所示的两个窗体:要使其中第一个窗体中的第一个命令按钮来控制显示第二个窗体,第二个命令按钮用来结束程序的运行(两个按钮名称为Command1和Command2)。则以下选项中,对这两个命令按钮编写的事件过程正确的是A.Private Sub Command1 Click() Form2.Show 1 End Sub Private Sub Command2_Click()End End SubB.Private Sub Command1_Click() Show 1 End Sub Private Sub Conunand2_Click() End End SubC.Private Sub Conmmand1_Click() Show 1 End Sub Private Sub Command2_Click() End End SubD.Private Sub Command1_Click()Show 1, Form2 End SubPrivate Sub Command2_Click() End End Sub
考题
有如下程序: Private Sub Command1_Click() Dim a As Single Dim b As Single a=5:b=4 Call Sub1(a,b) End Sub Sub Sub1(x As Single,y As Single) t=X X=t\Y Y=t Mod y End Sub 在调用运行上述程序后,a和b的值分别为A.0 0B. 1 1C.2 2D.1 2
考题
单选题变直径圆管流,细断面直径d1,粗断面直径d2=2d1,粗细断面雷诺数的关系是( )。A
pResub1/sub=0.5Resub2/sub/pB
pResub1/sub=Resub2/sub/pC
pResub1/sub=1.5Resub2/sub/pD
pResub1/sub=2Resub2/sub /p
考题
单选题A
pIsub2/sub=Isub3/sub/pB
pIsub2/sub=4Isub3/sub/pC
pIsub2/sub=2Isub3/sub/pD
pIsub3/sub=4Isub2/sub/p
考题
问答题MgAl2O4晶体结构中,按r+/r-与CN关系,Mg2+、Al3+都填充八面体空隙,但在该结构中Mg2+进入四面体空隙,Al3+填充八面体空隙;而在MgFe2O4结构中,Mg2+填充八面体空隙,而一半Fe3+填充四面体空隙。
考题
单选题下列测量结果的表示中,错误的是()。A
pIsubS/sub=10.0413A,Usubrel/sub=5×10sup-5/sup,k=2 /pB
pIsubS/sub=10.0413(1±5×10sup-5/sup)A,k=2 /pC
pIsubS/sub=(10.0413±5×10sup-5/sup)A,k=2 /pD
pIsubS/sub=10.0413A,Usub95rel/sub=5×10sup-5/sup,Vsubeff/sub=9 /p
考题
填空题NaCl晶胞中Cl-离子作()最紧密堆积,Na+填充()面体空隙的100%,以(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为(),所以属于这个球的四面体空隙数为(),正负离子配位数为(),配位多面体之间共()连接,单个晶胞占有正负离子的数目为()。
考题
多选题下列表示中____的表示形式是正确的。ApUsub95/sub= 1%,vsubeff/sub =9 /pBpUsubr/sub= 1%,k=2 /pCpusubC/sub=0. 5% /pDpusubC/sub=±0 5%.k=1 /p
考题
多选题在过程控制中,若TL=-3,Tu=3,u=1,σ=1,则( )。ACsubP/sub=1 BCsubP/sub=2/3 CCsubPk/sub=1 DCsubPk/sub=2/3
考题
问答题以NaCl晶胞为例,试说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量。
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