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半导体EPROM写入的内容，可以通过（）擦除。

  • A、紫外线照射
  • B、电信号
  • C、口令
  • D、DOS命令

参考答案

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考题 下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是A．DRAM是指动态随机存取存储器B．SRAM是指静态随机存取存储器C．EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D．Flash Memory既具有非易性，又能快速擦除和重写
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考题 EPROM是电可擦除可编程存储器的缩写。()
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考题 EPROM为可用（）擦除的可编程ROM。
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考题 EPROM在整片擦除后，其各单元内容是（）H。
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考题 可以通过紫外线擦除其中内容，并可以多次改写的ROM是（）A、掩膜ROMB、EEPROMC、Flash MemoryD、EPROM
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考题 可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。
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考题 半导体EPROM中写入的内容，可以通过（）擦除。A、紫外线照射B、电信号C、口令D、DOS命令
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考题 PROM是可编程只读存储器的缩写，它的内容（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
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考题 存储器EPROM里的数据是需要电池保持的。它的内容是电写入，紫外线擦除。
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考题 EEPROM芯片写入的内容，可以通过紫外线擦除
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考题 半导体EEPROM写入的内容，可以通过（）擦除。A、紫外线照射B、电压C、口令D、DOS命令
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考题 EEPROM是电擦除可编程只读存储器的缩写，它的内容也由用户写入，（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
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考题 ROM又称掩膜只读存储器，它存储的内容（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
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考题 EPROM与EEPROM都可以（）写入。
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考题 以下叙述中，不正确的是（）。A、半导体存储器包括RAM和ROMB、Flash存储器是非易失性的C、Cache是高速缓存D、EPROM使用电擦除方式
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考题 内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为（）。A、RAMB、FLASHC、动态MOS型RAMD、EPROM
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考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射，可擦除所有信息，然后还可写入新的信息，并可多次使用的是（）。A、EPROMB、PROMC、ROMD、CDROM
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考题 对于可擦卒除可编程只读存储器EPROM，正确的叙述是（）。A、它不可永久存放系统信息B、只能临时存储用户数据C、只能一次性写入D、存储内容可以擦除
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考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射，可擦除所有信息，然后还可写入新的信息，并可多次使用的是（）。A、EPROMB、PROMC、ROM
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考题 EPROM中的信息是如何擦除的？
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考题 单选题半导体EPROM写入的内容，可以通过（）擦除。A 紫外线照射B 电信号C 口令D DOS命令
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考题 填空题EPROM为可用（）擦除的可编程ROM。
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考题 判断题可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。A 对B 错
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考题 单选题半导体EEPROM写入的内容，可以通过（）擦除。A 紫外线照射B 电压C 口令D DOS命令
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考题 填空题EPROM与EEPROM都可以（）写入。
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考题 单选题LKJ关键存储芯片EPROM类型的抽样检测试验时，反复擦除.写入次数不应低于（）次，对于RAM.Flash.DOC等可改写芯片，反复擦除.写入次数不应低于（）次，按键面膜按键次数应不低于（）次。A 100，10000，50000B 50，100000，200000C 20，200000，100000D 10，100000，100000
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考题 填空题EPROM在整片擦除后，其各单元内容是（）H。
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