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半导体EPROM写入的内容,可以通过()擦除。

  • A、紫外线照射
  • B、电信号
  • C、口令
  • D、DOS命令

参考答案

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考题 下面关于半导体存储器的叙述中,错误的是A.DRAM是指动态随机存取存储器B.SRAM是指静态随机存取存储器C.EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D.Flash Memory既具有非易性,又能快速擦除和重写

考题 EPROM是电可擦除可编程存储器的缩写。()

考题 EPROM为可用()擦除的可编程ROM。

考题 EPROM在整片擦除后,其各单元内容是()H。

考题 可以通过紫外线擦除其中内容,并可以多次改写的ROM是()A、掩膜ROMB、EEPROMC、Flash MemoryD、EPROM

考题 可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。

考题 半导体EPROM中写入的内容,可以通过()擦除。A、紫外线照射B、电信号C、口令D、DOS命令

考题 PROM是可编程只读存储器的缩写,它的内容()A、是用户用编程器一次性写入的,不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除,反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时,原来的内容会自动清除,允许反复多次写入D、在其制造过程中确定,不允许再改变

考题 存储器EPROM里的数据是需要电池保持的。它的内容是电写入,紫外线擦除。

考题 EEPROM芯片写入的内容,可以通过紫外线擦除

考题 半导体EEPROM写入的内容,可以通过()擦除。A、紫外线照射B、电压C、口令D、DOS命令

考题 EEPROM是电擦除可编程只读存储器的缩写,它的内容也由用户写入,()A、是用户用编程器一次性写入的,不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除,反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时,原来的内容会自动清除,允许反复多次写入D、在其制造过程中确定,不允许再改变

考题 ROM又称掩膜只读存储器,它存储的内容()A、是用户用编程器一次性写入的,不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除,反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时,原来的内容会自动清除,允许反复多次写入D、在其制造过程中确定,不允许再改变

考题 EPROM与EEPROM都可以()写入。

考题 以下叙述中,不正确的是()。A、半导体存储器包括RAM和ROMB、Flash存储器是非易失性的C、Cache是高速缓存D、EPROM使用电擦除方式

考题 内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为()。A、RAMB、FLASHC、动态MOS型RAMD、EPROM

考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射,可擦除所有信息,然后还可写入新的信息,并可多次使用的是()。A、EPROMB、PROMC、ROMD、CDROM

考题 对于可擦卒除可编程只读存储器EPROM,正确的叙述是()。A、它不可永久存放系统信息B、只能临时存储用户数据C、只能一次性写入D、存储内容可以擦除

考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射,可擦除所有信息,然后还可写入新的信息,并可多次使用的是()。A、EPROMB、PROMC、ROM

考题 EPROM中的信息是如何擦除的?

考题 单选题半导体EPROM写入的内容,可以通过()擦除。A 紫外线照射B 电信号C 口令D DOS命令

考题 填空题EPROM为可用()擦除的可编程ROM。

考题 判断题可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。A 对B 错

考题 单选题半导体EEPROM写入的内容,可以通过()擦除。A 紫外线照射B 电压C 口令D DOS命令

考题 填空题EPROM与EEPROM都可以()写入。

考题 单选题LKJ关键存储芯片EPROM类型的抽样检测试验时,反复擦除.写入次数不应低于()次,对于RAM.Flash.DOC等可改写芯片,反复擦除.写入次数不应低于()次,按键面膜按键次数应不低于()次。A 100,10000,50000B 50,100000,200000C 20,200000,100000D 10,100000,100000

考题 填空题EPROM在整片擦除后,其各单元内容是()H。