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判断题
晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。（）
A

对

B

错

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考题 实际上滑移是借助于位错的移动来实现的，故晶界处滑移阻力最小。此题为判断题(对，错)。
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考题 位错运动后晶体不发生体积变化,这类运动称为()。
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考题 一般来说，晶体内滑移面和滑移方向越多，则金属的塑性越好。此题为判断题(对，错)。
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考题 金属单晶体的塑性变形方式为（）。 A、滑移B、孪晶C、位错D、A或B
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考题 晶体的滑移是晶体中的（）在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。A、空位B、晶界C、间隙原子D、位错
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考题 单晶体的滑移，实际上是位错的移动。
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考题 单晶体的变形方式有（）A、滑移B、孪生C、位错D、位移
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考题 （）是晶体的一部分相对于另一部分产生错动的结果。A、孪生B、位错C、位移D、滑移
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考题 （）是各个晶粒塑性变形的综合结果。A、单晶体变形B、多晶体变形C、滑移D、孪生
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考题 刃位错垂直于滑移面的运动称为（）
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考题 位错的滑移是指位错在（）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。A、外力B、热应力C、化学力D、结构应力
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考题 位错的（）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A、攀移B、滑移C、增值D、减少
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考题 晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。（）
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考题 滑移的实质是在切应力的作用下，（）沿滑移面运动的结果。
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考题 位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（）。A、位错不一定是直线B、位错是已滑移区和未滑移区的边界C、位错可以中断于晶体内部D、位错不能中断于晶体内部
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考题 单选题在晶体滑移过程中（）A 由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少B 由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高C 由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少D 由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
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考题 单选题下面对刃型位错描述错误的是（）A 位错既有切应变，又有正应变B 位错线与晶体的滑移方向相平行C 位错线运动方向与位错线垂直D 位错线是一个具有一定宽度的细长晶格畸变管道
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考题 判断题实际上滑移是借助于位错的移动来实现的，故晶界处滑移阻力最小。A 对B 错
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考题 问答题何谓晶体的滑移系，组成滑移系的滑移面和滑移方向有何特点？
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考题 单选题柏格斯矢量是位错的符号，它代表（）。A 位错线的方向B 位错线的运动方向C 晶体的滑移方向
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考题 单选题位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（）。A 螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移B 刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C 螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移D 螺位错只作滑移，刃位错只作攀移
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考题 单选题位错的滑移是指位错在（）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。A 外力B 热应力C 化学力D 结构应力
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考题 填空题滑移的实质是在切应力的作用下，（）沿滑移面运动的结果。
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考题 单选题位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（）。A 位错不一定是直线B 位错是已滑移区和未滑移区的边界C 位错可以中断于晶体内部D 位错不能中断于晶体内部
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考题 判断题一般来说，晶体内滑移面和滑移方向越多，则金属的塑性越好。A 对B 错
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考题 填空题位错是在滑移面上局部滑移区的边界，位错分为刃位错和螺位错，刃位错的方向与滑移的方向（），螺位错的方向与滑移的方向（）。
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考题 单选题位错的（）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A 攀移B 滑移C 增值D 减少
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