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判断题
反映脑缺血-再灌注损伤的主要代谢指标是过氧化脂质增多。
A

B


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考题 亚低温治疗的目的错误的是A 减轻脑水肿B 降低脑缺血再灌注损伤C 提高脑对缺氧的耐受性D 控制抽搐E 降低脑代谢率

考题 血液再灌注后缺血性损伤进一步加重的现象称为缺血-再灌注损伤。此题为判断题(对,错)。

考题 缺血-再灌注损伤是指血液再灌注使缺血性损伤进一步加重的现象。此题为判断题(对,错)。

考题 钙超载引起再灌注损伤的机制为A.促进膜磷脂分解B.线粒体膜脂质过氧化C.促进氧自由基生成D.再灌注心律失常E.促进膜蛋白交联

考题 自由基引起缺血-再灌注损伤的机制包括A.引起细胞膜脂质过氧化B.组织因子释放C.引起自由基大量产生D.破坏核酸及染色体E.损伤蛋白质的结构和功能

考题 电离辐射对机体的主要损害是( )。A.脂质过氧化B.线粒体损伤C.RNA损伤D.DNA损伤

考题 钙超载引起再灌注损伤的机制不包括A.线粒体功能障碍 B.膜脂质过氧化增强 C.再灌注性心律失常 D.肌原纤维过度收缩 E.促进氧自由基生成

考题 下列哪项不是自由基引起缺血-再灌注损伤的机制A、组织因子释放 B、引起自由基大量产生 C、破坏核酸及染色体 D、损伤蛋白质的结构和功能 E、引起细胞膜脂质过氧化

考题 反映脑缺血-再灌注损伤的主要代谢指标是过氧化脂质增多。A对B错

考题 评价脑缺血再灌注损伤的主要代谢指标是()。A、ATP、CP及葡萄糖减少B、乳酸增多C、cAMP增多D、cGMP减少E、过氧化脂质生成增多

考题 反映脑缺血-再灌注损伤的主要代谢指标是过氧化脂质增多。

考题 电离辐射对机体的主要损害是( )。A、脂质过氧化B、线粒体损伤C、RNA损伤D、DNA损伤

考题 反映脑缺血再灌注损伤的主要代谢指标是()A、ATP减少B、cAMP增多C、cGMP减少D、乳酸增多E、过氧化脂质增多

考题 判断题脑再灌注损伤主要表现是脑水肿和脑细胞坏死。A 对B 错

考题 单选题反映脑缺血再灌注损伤的主要代谢指标是()。A ATP减少B cAMP增多C cGMP减少D 乳酸增多E 过氧化脂质增多

考题 单选题下述何种对缺血-再灌注损伤的表述是正确的?()A 缺血已引起组织细胞功能代谢障碍,再灌注时显示出损伤存在B 缺血后再灌注,使组织细胞功能代谢障碍及结构破坏反而加重C 缺血并未引起组织细胞损伤,是由于再灌注导致组织代谢障碍及结构破坏D 缺血后再灌注,组织细胞功能代谢障碍更加显见E 在缺血使组织发生可逆损伤的阶段,再灌注导致更严重的组织细胞损伤

考题 判断题血液再灌注后缺血性损伤进一步加重的现象称为缺血一再灌注损伤。A 对B 错

考题 判断题血液再灌注后缺血性损伤进一步加重的现象称为缺血-再灌注损伤。A 对B 错

考题 单选题电离辐射对机体的主要损害是( )。A 脂质过氧化B 线粒体损伤C RNA损伤D DNA损伤

考题 单选题评价脑再灌注损伤的主要代谢指标为()A ATP、CP及葡萄糖减少;B 乳酸↑;C cAMP↑;D cGMP↓;E 过氧化脂质生成 。

考题 单选题评价脑缺血再灌注损伤的主要代谢指标是()A ATP、CP及葡萄糖减少BB 乳酸增多C cAMP增多D cGMP减少E 过氧化脂质生成增多

考题 判断题缺血-再灌注损伤发生的主要机制是自由基的作用。A 对B 错

考题 判断题组织器官经过一定时间的缺血,当血液再灌注后组织细胞功能代谢障碍及结构破坏反而加重的现象称为缺血再灌注损伤。A 对B 错

考题 单选题反映脑缺血-再灌注损伤的主要代谢指标是()A ATP减少B cAMP增多C cGMP减少D 乳酸增多E 过氧化脂质增多

考题 判断题缺血-再灌注损伤是指血液再灌注使缺血性损伤进一步加重的现象。()A 对B 错

考题 判断题再灌注损伤时自由基主要由血管内皮细胞产生。A 对B 错

考题 判断题缺血-再灌注损伤是指再灌注后引起的损伤。A 对B 错