考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
考题
开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
ZX7400D的开关功率器件是（）。A、场效应管B、单管IGBTC、IGBT模块D、可控硅
考题
开关电源中（）是开关功率管的直接负载。A、驱动电路B、控制电路C、整流滤波电路D、高频变压器
考题
开关电源按其所用开关器可分为IGBT开关电源、双极型晶体管开关电源和（）开关电源。A、MOSFET管B、二极管C、三极管D、单结晶体管
考题
艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的时（）。A、SCRB、IGBTC、MOSFET
考题
目前在大功率开关电源的AC/DC变换器中，常用的功率开关管是（）。A、BridgerectifierB、SCRC、MOSFETD、IGBT
考题
功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
考题
通用变频器的逆变电路中功率开关管现在一般采用（）模块。 A、晶闸管B、MOSFETC、GTRD、IGBT
考题
IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
考题
功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
考题
不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
考题
目前在大功率开关电源的AC/DC变换器中，常用的功率开关管是（）。A、SCRB、IGBTC、MOSFETD、Bridgerectifier
考题
艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的是（）。A、SCRB、IGBTC、MOSFET
考题
在谐振型开关电源中，由于功率开关管实现了（）或（）切换，因此基本上消除了；同时由于功率开关管的导通电阻非常小，所以（）也非常小。
考题
开关电源中采用的MOSFET功率管，功耗较大。（）
考题
目前在大功率开关电源的AC/DC变换器中，常用的功率开关管是（）。A、SCRB、IGBTC、MOSFETD、Bridge rectifier
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管
考题
在谐振型开关电源中，由于功率开关管实现了（）或（）切换，因此基本上消除了开关损耗。
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
考题
在谐振型开关电源中，由于功率开关管实现了（）或（）切换，因此基本上消除了（）.
考题
单选题功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A
MOSFET功率场效应管B
IGBT绝缘栅双极晶体管C
GTR晶闸管D
BJT双极型晶体管
考题
多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有（）A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT
考题
填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
考题
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A
GTO和GTR；B
TRIAC和IGBT；C
MOSFET和IGBT；D
SCR和MOSFET；