考题
亚稳离子峰与同质荷比峰在质谱图上相同位置出现。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在质谱图中，被称为基峰的是( )。A质荷比最大的峰B一定是分子离子峰C强度最大的峰D亚稳离子峰
考题
一般质谱图上，荷质比最大的峰为（）。A、分子离子峰B、碎片离子峰C、亚稳离子峰D、同位素离子峰
考题
在质谱图的中部质量区，一般来说与分子离子质荷比奇偶相同的碎片离子是（）A、由简单开裂产生的B、由重排反应产生的C、在无场区断裂产生的D、在飞行过程中产生的
考题
判断分子离子峰的正确方法是（）A、增加进样量，分子离子峰强度增加B、谱图中强度最大的峰C、质荷比最大的峰D、降低电子轰击电压，分子离子峰强度增加
考题
在质谱中出现的非整数质荷比的谱峰可能是（）A、重排离子峰B、准分子离子峰C、亚稳离子峰D、分子离子峰
考题
质谱图中质荷比最大的峰不一定是分子离子峰但分子离子峰一定是质谱图中质荷比最大的峰。
考题
在质谱图中，被称为基峰或标准峰的是（）A、分子离子峰B、质荷比最大的峰C、强度最大的离子峰D、强度最小的离子峰
考题
在丁酮质谱中，质荷比值为29的碎片离子是发生了（）A、α-裂解产生的。B、I-裂解产生的。C、重排裂解产生的。D、γ-H迁移产生的。
考题
除同位素离子峰外，分子离子峰位于质谱图的（）区，它是由分子失去了（）生成的，故其质荷比值是该化合物的（）。
考题
下列说法哪一个是错误的？（）A、MALDI是利用离子的质荷比与离子的飞行时间成反比来检测离子的B、ESI可以产生多电荷母离子的子离子，产生比单电荷离子的子离子更多的结构信息C、快速原子轰击是一种软电离技术，易于得到准分子离子峰D、场解吸所得质谱的特点：准分子离子峰强，碎片离子少
考题
在质谱图上，由下列哪一种离子产生荷质比为64的峰：（）A、C2H3O+B、C6H110+C、C10H82+D、C2H4I+
考题
因亚稳态离子峰是亚稳离子在离开（）后碎裂产生的，故在质谱图上（）于其真实质荷比的位置出现。它的出现可以为分子的断裂提供断裂途径的信息和相应的（）离子和（）离子。
考题
除同位素离子峰外，如果质谱中存在分子离子峰，则其一定是（）A、基峰B、质荷比最高的峰C、偶数质量峰D、奇数质量峰
考题
在丁酮质谱中，质荷比为29的碎片离子是发生了（）A、α-裂解B、I-裂解C、重排裂解D、-H迁移
考题
除同位素离子峰外，分子离子峰位于质谱图的（），它是分子失去（）生成的，故其质荷比值是该化合物的（）
考题
单选题判断分子离子峰的正确方法是（）A
增加进样量，分子离子峰强度增加B
谱图中强度最大的峰C
质荷比最大的峰D
降低电子轰击电压，分子离子峰强度增加
考题
填空题除同位素离子峰外，分子离子峰位于质谱图的（），它是分子失去（）生成的，故其质荷比值是该化合物的（）
考题
填空题除同位素离子峰外，分子离子峰位于质谱图的（）区，它是由分子失去了（）生成的，故其质荷比值是该化合物的（）。
考题
单选题在质谱图上，由下列哪一种离子产生荷质比为64的峰：（）A
C2H3O+B
C6H110+C
C10H82+D
C2H4I+
考题
单选题在质谱中出现的非整数质荷比的谱峰可能是（）A
重排离子峰B
准分子离子峰C
亚稳离子峰D
分子离子峰
考题
单选题在丁酮质谱中，质荷比为29的碎片离子是发生了（）A
α-裂解B
I-裂解C
重排裂解D
-H迁移
考题
填空题质谱图中重要类型的离子峰有（）、（）、（）、亚稳离子峰、沉排离子峰、多电荷离子峰。
考题
填空题因亚稳态离子峰是亚稳离子在离开（）后碎裂产生的，故在质谱图上（）于其真实质荷比的位置出现。它的出现可以为分子的断裂提供断裂途径的信息和相应的（）离子和（）离子。
考题
判断题质谱图中质荷比最大的峰不一定是分子离子峰但分子离子峰一定是质谱图中质荷比最大的峰。A
对B
错
考题
单选题除同位素离子峰外，如果质谱中存在分子离子峰，则其一定是（）A
基峰B
质荷比最高的峰C
偶数质量峰D
奇数质量峰
考题
单选题在质谱图中，被称为基峰或标准峰的是（）A
分子离子峰B
质荷比最大的峰C
强度最大的离子峰D
强度最小的离子峰
考题
单选题在质谱图的中部质量区，一般来说与分子离子质荷比奇偶相同的碎片离子是（）A
由简单开裂产生的B
由重排反应产生的C
在无场区断裂产生的D
在飞行过程中产生的