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题目内容
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单选题
RAM属于()
A
内存储器
B
外存储器
C
辅助存储器
D
只读存储器
参考答案
参考解析
解析:
暂无解析
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考题
下列选项中关于只读存储器(ROM)与随机存储器(RAM)的区别,正确的是______二。A.ROM断电后内容不会丢失(非易失性),RAM断电后内容立即消失(易失性)B.ROM断电后内容立即消失(易失性),RAM则不会(非易失性)C.RAM属于内存储器,ROM属于外存储器D.ROM属于内存储器,RAM属于外存储器
考题
下面说法正确的是()。A.ROM不用刷新,但集成度比动态RAM高,但断电后存储的信息消失
B.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆
C.静态RAM和动态RAM都是易失性存储器,断电后存储的信息消失
D.动态RAM属于非易失性存储器,而静态RAM存储的信息断电后信息消失
考题
关于RAM和ITSM配合,以下说法错误的是:()A、RAM不能和ITSM联动使用B、RAM中做的配置,可以提交ITSM进行流程审核C、RAM中的配置在通过流程审核后自动部署D、除了RAM和ITSM外,需额外购买RAM和ITSM配合的授权
考题
单选题What is the MOST significant difference between EDO RAM and fast page mode DRAM?()A
EDO RAM is faster.B
EDO RAM is slower.C
EDO RAM is smaller.D
EDO RAM is cheaper.
考题
单选题EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。A
没有区别B
EDO RAM比FPM DRAM的快C
FPM DRAM比EDO RAM的快D
EDO RAM比FPM DRAM小E
FPM DRAM比EDO RAM价格高
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