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单选题
下面关于S3C2410的外部存储器的叙述中,错误的是()。
A

S3C2410的存储器控制组件中包括的存储器控制器提供访问片外存储器芯片所需的控制信号

B

S3C2410的外部存储器地址空间共1GB

C

S3C2410的I/O与存储器采用统一编址方式

D

S3C2410的外部存储器地址空间可分成数个BANK,每个BANK均可实现8位、16位和32位总线宽度的访问


参考答案

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更多 “单选题下面关于S3C2410的外部存储器的叙述中,错误的是()。A S3C2410的存储器控制组件中包括的存储器控制器提供访问片外存储器芯片所需的控制信号B S3C2410的外部存储器地址空间共1GBC S3C2410的I/O与存储器采用统一编址方式D S3C2410的外部存储器地址空间可分成数个BANK,每个BANK均可实现8位、16位和32位总线宽度的访问” 相关考题
考题 ● 关于Cache存储器,下面的叙述中正确的是 (15) 。(15)A. Cache存储器是内存中的一个特定区域B. Cache存储器的存取速度介于内存和磁盘之间C. Cache存储器中存放的内容是内存的备份D. Cache存储器存放正在处理的部分指令和数据

考题 下面关于高速缓冲存储器的叙述中,正确的是A.属于主存储器的一部分B.属于辅助存储器的一部分C.位于主存和CPU之间D.位于主存储器和辅助存储器之间

考题 下面关于半导体存储器的叙述中,错误的是A.DRAM是指动态随机存取存储器B.SRAM是指静态随机存取存储器C.EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D.Flash Memory既具有非易性,又能快速擦除和重写

考题 下列关于存储器的叙述中,错误的是( )。A.内存储器RAM中主要存储当前正在运行的程序和数据B.内存储器的容量一般都大于外存储器(如硬盘)的容量C.外部存储器用来存储必须永久保存的程序和数据D.内存储器RAM中的信息会因断电而全部丢失

考题 存储器是计算机中重要的设备,下列关于存储器的叙述中,正确的是()。 A:存储器分为外部存储器和内部存储器B:用户的数据几乎全部保存在硬盘上,所以硬盘是主要存储器C:RAM是指随机存储器,通电时存储器的内容可以保存,断电内容就丢失D:.ROM是只读存储器,只能读出原有的内容,不能由用户再写入新内容

考题 下列叙述中,错误的是A.存储器分为两类:内部存储器和外部存储器B.主存储器由RAM、ROM和CD-ROMC.辅助存储器分为:软盘、硬盘、USB移动硬盘、USB优盘、光盘和DVD光盘D.硬盘多固定在机箱内,但不是属于主机

考题 下列叙述中,错误的一条是______。A.内存储器RAM中主要存储当前正在运行的程序和数据B.内存储器的容量一般都大于外部存储器(如硬盘)的容量C.外部存储器用来存储必须永久保存的程序和数据D.内存储器RAM中的信息会因断电而全部丢失

考题 下面关于闪存盘(也称为优盘)的叙述中,错误的是( )。A.支持即插即用B.使用的存储器件是Flash ROMC.采用USB接口与PC机相连D.其存取速度与内存相当,比硬盘快

考题 下面关于Cache的叙述,“(6)”是错误的。A.在体系结构上,Cache存储器位于主存与CPU之间B.Cache存储器存储的内容是动态更新的C.使用Cache存储器并不能扩大主存的容量D.Cache的命中率只与其容量相关

考题 下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中错误的是()。A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种C.FRAM已得到使用D.目前还没有使用Cache存储器

考题 下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述: Ⅰ. 嵌入式系统使用的存储器按照其存取特性可分为RAM和ROM Ⅱ. 嵌入式系统使用的存储器按照其所处物理位置可分为片内存储器和片外存储器以及外部存储器 Ⅲ. 嵌入式系统使用的存储器按照存储信息的类型可分为程序存储器和数据存储器 Ⅳ. 新型的铁电存储器FRAM在嵌入式系统中得到了应用 上述叙述中,正确的是()。A.仅Ⅰ和ⅡB.仅Ⅱ和ⅢC.仅Ⅰ和ⅢD.全部

考题 下面关于三星公司基于ARM9内核的S3C2410嵌入式微处理器芯片的叙述中,错误的是()。A.S3C2410包含32位嵌入式微处理器B.内部具有分离的指令Cache和数据CacheC.高速组件和低速外设接口均采用AHB总线D.内部集成了存储器控制器

考题 下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中错误的是()。A.嵌入式系统使用的存储器以半导体存储器为主B.铁电存储器(FRAM)在嵌入式系统已得到应用C.静态存储器SRAM是非易失性存储器D.动态存储器DRAM是易失性存储器

考题 下面关于S3C2410存储器控制的叙述中,错误的是()。A.存储器控制器和NAND Flash控制器等属于存储器控制组件B.系统的I/O与存储器采用统一编址方式C.地址空间共1GBD.所有BANK的总线宽度只能选择16位或32位

考题 下面关于三星公司基于ARM9内核的S3C2410嵌入式微处理器芯片的叙述中,错误的是:()。A.采用哈佛体系结构,程序存储器与数据存储器分开B.使用AMBA总线,对于高速组件采用AHB总线,对于低速外设接口采用APB总线C.片内集成ADCD.片内集成摄像头接口及AC'97音频接口

考题 下面关于S3C2410嵌入式微处理器芯片GPIO端口的叙述中,错误的是:()。A.GPIO端口有GPA/GPB/GPC/GPD/GPE/GPF/GPG/GPH多个并行I/O接口B.GPIO端口中有的I/O接口的功能是复用的,例如可以作为外部中断C.GPIO端口中的每个并行I/O接口中的上拉寄存器决定该接口引脚是否要被内部上拉D.GPIO端口属于芯片内部的高带宽组件

考题 下面关于S3C2410中断控制器的叙述中,错误的是:()。A.中断控制器不支持内置SPI引起的中断B.中断控制器支持内置I2C引起的中断C.中断控制器支持内置USB引起的中断D.中断控制器支持内置RTC引起的中断

考题 下面4个叙述中能正确描述DDR3SDRAM存储器特点的是( )A.采用2位预取技术,存储器外部数据传输频率为存储器核心频率的2倍B.采用4位预取技术,存储器外部数据传输频率为存储器核心频率的4倍C.采用8位预取技术,存储器外部数据传输频率为存储器核心频率的8倍D.采用16位预取技术,存储器外部数据传输频率为存储器核心频率的16倍

考题 下面关于S3C2410中断控制器的叙述中,错误的是()A、中断控制器不支持内置SPI引起的中断B、中断控制器支持内置I2C引起的中断C、中断控制器支持内置USB引起的中断D、中断控制器支持内置RTC引起的中断

考题 下面关于S3C2410的外部存储器的叙述中,错误的是()。A、S3C2410的存储器控制组件中包括的存储器控制器提供访问片外存储器芯片所需的控制信号B、S3C2410的外部存储器地址空间共1GBC、S3C2410的I/O与存储器采用统一编址方式D、S3C2410的外部存储器地址空间可分成数个BANK,每个BANK均可实现8位、16位和32位总线宽度的访问

考题 下面是关于基于ARM内核的嵌入式芯片中的存储器及高带宽外部存储器控制接口的叙述,其中错误的是()A、ARM芯片片内配有的Flash存储器,通常用作系统的程序存储器B、ARM芯片内的Cache采用SRAMC、高带宽外部存储器控制接口只能用于扩展系统的程序存储器D、高带宽外部存储器控制接口与AMBA的系统总线部分相连

考题 下面是关于S3C2410的GPIO端口的叙述,其中错误的是()。A、S3C2410有GPA、GPB、GPC、GPD、GPE、GPF、GPG和GPH这8个GPIO端口,它们都是双功能的I/O端口B、与S3C2410某个GPIO端口对应的控制寄存器决定该端口引脚的功能C、与S3C2410某个GPIO端口对应的数据寄存器存放该端口输入的数据或输出的数据D、与S3C2410某个GPIO端口对应的上拉寄存器决定该端口引脚是否要被内部上拉

考题 下面是关于操作系统虚拟存储器技术优点的叙述,其中错误的是()A、虚拟存储器可以解决内存容量不够使用的问题B、虚拟存储器对多任务处理提供了有力的支持C、虚拟存储器可以把硬盘当作内存使用,提高硬盘的存取速度D、虚拟存储器技术的指导思想是"以时间换取空间"

考题 单选题下面是关于基于ARM内核的嵌入式芯片中的存储器及高带宽外部存储器控制接口的叙述,其中错误的是()A ARM芯片片内配有的Flash存储器,通常用作系统的程序存储器B ARM芯片内的Cache采用SRAMC 高带宽外部存储器控制接口只能用于扩展系统的程序存储器D 高带宽外部存储器控制接口与AMBA的系统总线部分相连

考题 单选题下面关于S3C2410中UART的叙述中,错误的是()A 芯片内置UART0、UART1和UART2共三个接口B UARTn对应的控制寄存器UCONn用于确定UARTn传输帧的格式C 在计算波特率时用到的外部时钟有两种选择,具体选择时由UART的控制器寄存器中的相关位的状态决定D 通过对UART的控制器寄存器进行编程可确定每个UART的相关中断是否允许

考题 单选题下列叙述中,错误的是()。A 内存储器RAM中主要存储当前正在运行的程序和数据B 高速缓冲存储器(Cache)一般采用DRAM构成C 外部存储器(如硬盘)用来存储必须永久保存的D 存储在RAM中的信息会因断电而全部丢失

考题 单选题下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中错误的是()。A 系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种B Flash存储器分为NORFlash和NANDFlash两种C FRAM已得到使用D 目前还没有使用Cache存储器