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单选题
DDRII内存的CL(CASLatency)数值只能达到()。
A

4-4-8-8

B

4-8-4-8

C

4-4-4-8

D

4-8-8-8


参考答案

参考解析
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更多 “单选题DDRII内存的CL(CASLatency)数值只能达到()。A 4-4-8-8B 4-8-4-8C 4-4-4-8D 4-8-8-8” 相关考题
考题 用于平板电脑的内存是()。 A.Nand flashB.Mobile RAMC.DDRD.DDRII

考题 与传统内存相比,FB-DIMM技术不提供()。 A.更高的带宽B.更高的容量支持C.更高的内存频率D.普通的DDRII内存芯片可以用于FBD

考题 双通道内存技术最早应用于()内存中。 A.SDRAMB.RDRAMC.DDRD.DDRII

考题 笔记本DDRII内存的针脚是多少()。 A.168B.184C.240D.200

考题 DDRII内存的预取位数是()Bit。 A.2B.4C.6D.8

考题 总延迟时间是评价内存性能高低的重要数值。某PC100内存的存取时间为7ns,设定CASLatency为2,试计算它的总延迟时间是()ns。 A.70B.14C.27D.7

考题 笔记本计算机DDRII内存的工作电压是()。 A.5VB.3.3VC.2.5VD.1.8V

考题 DDRII内存的CL(CASLatency)数值只能达到()。 A.4-4-8-8B.4-8-4-8C.4-4-4-8D.4-8-8-8

考题 DDRII内存拥有()个引脚。 A.169B.240C.184D.200

考题 新标准DDRII内存只需要()V电压就可以正常工作。 A.1.5B.1.7C.1.8D.2.5

考题 SDRAM内存条的金手指通常是168线的,DDRSDRAM内存条的金手指通常是184线的,DDRII内存条的金手指通常是()线的.

考题 用于平板电脑的内存是()。A、Nand flashB、Mobile RAMC、DDRD、DDRII

考题 内存参数“台式机/DDRII/256M/DDR533/TinyBGA/CL=4“533MHz”是指()。A、内存的实际工作频率为533MHzB、内存的数据传率为533MB/sC、内存的数据传输率为533Mb/sD、内存的理想工作频率为533MHz

考题 DDRII内存有()个缺口。A、1B、2C、3D、4

考题 SDRAM内存条的金手指通常是()线的,DDRSDRAM内存条的金手指通常是()线的,DDRII内存条的金手指通常是()线的。

考题 与传统内存相比,FB-DIMM技术不提供()。A、更高的带宽B、更高的容量支持C、更高的内存频率D、普通的DDRII内存芯片可以用于FBD

考题 双通道内存技术最早应用于()内存中。A、SDRAMB、RDRAMC、DDRD、DDRII

考题 DDRII内存的预取位数是()Bit。A、2B、4C、6D、8

考题 单选题DDRII内存拥有()个引脚。A 169B 240C 184D 200

考题 单选题DDRII内存的CL(CASLatency)数值只能达到()。A 4-4-8-8B 4-8-4-8C 4-4-4-8D 4-8-8-8

考题 单选题笔记本DDRII内存的针脚是多少()。A 168B 184C 240D 200

考题 单选题与传统内存相比,FB-DIMM技术不提供()。A 更高的带宽B 更高的容量支持C 更高的内存频率D 普通的DDRII内存芯片可以用于FBD

考题 单选题DDRII内存采用()封装形式,可以提供更好的电气性能与散热性。A FBGAB TSOPC BGAD BGA

考题 单选题内存参数“台式机/DDRII/256M/DDR533/TinyBGA/CL=4“533MHz”是指()。A 内存的实际工作频率为533MHzB 内存的数据传率为533MB/sC 内存的数据传输率为533Mb/sD 内存的理想工作频率为533MHz

考题 单选题总延迟时间是评价内存性能高低的重要数值。某PC100内存的存取时间为7ns,设定CASLatency为2,试计算它的总延迟时间是()ns。A 70B 14C 27D 7

考题 单选题笔记本计算机DDRII内存的工作电压是()。A 5VB 3.3VC 2.5VD 1.8V

考题 单选题总延迟时间是评价内存性能高低的重要数值。某PC100,内存的存取时间为7ns,设定CASlatency为2,试计算这它的总延迟时间是《27》nsA 70B 14C 27D 7

考题 填空题SDRAM内存条的金手指通常是()线的,DDRSDRAM内存条的金手指通常是()线的,DDRII内存条的金手指通常是()线的。