单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为（）。A 载流子在耗尽区的漂移时间过长B 将光信号转换为电信号的效率太低C 其所加的反向偏置电压过大D 其注入的非平衡载流子扩散过快

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考题雪崩光电二极管,写做APD管。() 此题为判断题(对，错)。

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考题试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。

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考题半导体光电检测器有()。A.PIN光电二极管 B.APD雪崩光电二极管 C.LED D.LD

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考题不可见光通信用LED作为信号发射器，用本征光电二极管(PD)或雪崩光电二极管(APD)作为信号接收器。()

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考题目前光纤通信常用的半导体光电检测器，如（）A、PN结光电二极管B、PIN光电二极管C、APD雪崩光电二极管D、电容

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考题工作在短波长区的雪崩光电二极管是（）。A、SI-APDB、Ge-APDC、InGaAs-APD

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考题（）就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。A、发光二极管B、APD雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管

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考题随着温度升高，雪崩光电二极管（APD）的倍增增益将（）A、稳步递增B、快速递增C、下降D、不变

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考题雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应

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考题光电检测器的种类有PN结光电二极管和（）三种。A、发光二极管、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D、双基极二极管、混频二极管

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考题常用的半导体光电检测器有PIN光电二极管和（）两种。A、发光二极管B、APD雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管

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考题光电检测器目前主要采用（）或（）。A、半导体激光器（LD）B、半导体发光二极管（LED）C、光电二极管（PIN）D、雪崩光电二极管（APD）

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考题常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。

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考题光接收器件主要有发光二极管（LED）和雪崩光电二极管（APD）。

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考题为了使雪崩光电二极管APD正常工作，在其P－N结上应加（）。A、高正向偏压B、低正向偏压C、低反向偏压D、高反向偏压

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考题半导体光检测器主要有两类：PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD） APD管由于其灵敏度比较高一般为__dBm左右,适用于长距离传送A、-14B、-20C、-28D、-45

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考题单选题光电检测器的种类有PN结光电二极管和（）三种。A 发光二极管、PIN光电二极管B APD雪崩光电二极管、双基极二极管C PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D 双基极二极管、混频二极管

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考题判断题采用雪崩光电二极管（APD）的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。A 对B 错

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考题多选题光接收模块有哪几种类型（）A光电二极管（PIN）B雪崩二极管（APD）C光电三极管DPN结

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考题多选题光电检测器目前主要采用（）或（）。A半导体激光器（LD）B半导体发光二极管（LED）C光电二极管（PIN）D雪崩光电二极管（APD）

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考题单选题雪崩光电二极管（APD）具有（）A 内部放大作用B 内部衰减作用C 内部平衡作用D 内部纠错作用

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考题单选题为了使雪崩光电二极管APD正常工作，在其P－N结上应加（）。A 高正向偏压B 低正向偏压C 低反向偏压D 高反向偏压

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考题单选题雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A 灵敏度效应B 温度效应C 响应度效应D 雪崩效应

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考题多选题光发射机中的重要器件，目前主要采用（）或（）。A半导体激光器（LD）B半导体发光二极管（LED）C光电二极管（PIN）D雪崩光电二极管（APD）

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考题判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A 对B 错

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