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单选题
下面有关化学位移描述正确的是()。
A

质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小

B

质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大

C

质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小

D

质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题下面有关化学位移描述正确的是()。A 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大” 相关考题
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考题 有关化学位移伪影的叙述,下列哪一项是错误的( )A.化学位移伪影是一种装备伪影B.化学位移伪影与呼吸运动有关C.化学位移伪影与主磁场强度有关D.化学位移伪影与观察视野有关E.化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别

考题 下面有关视图的描述正确的是

考题 下列有关化学反应的描述中正确的是( )

考题 关于位移和路程,下列说法中正确的是:()A、位移的大小可以大于路程B、位移的大小只能小于路程C、位移是矢量,描述质点位置的变化;路程是标量,描述质点的运动轨迹长度D、位移的大小可能大于路程

考题 下面有关酶的描述,正确的是()。A、所有的酶都含有辅基或辅酶B、只能在体内起催化作用C、大多数酶的化学本质是蛋白质D、能改变化学反应的平衡点,加速反应的进行E、以上都不正确

考题 什么是化学位移?影响化学位移的因素。

考题 有关化学位移伪影的叙述,下列哪一项是错误()。A、化学位移伪影是一种装备伪影B、化学位移伪影与呼吸运动有关C、化学位移伪影与主磁场强度有关D、化学位移伪影与观察视野有关E、化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别

考题 有关化学位移伪影的叙述,下列正确的是()A、化学位移伪影是一种装备伪影B、化学位移伪影与呼吸运动有关C、化学位移伪影与主磁场强度有关D、化学位移伪影以观察视野有关E、化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别

考题 下面不是脂肪抑制成像技术的是()A、化学位移频率选择饱和技术B、化学位移水一脂反相位饱和成像技术C、幅度选择饱和法D、化学位移成像技术E、水激励技术

考题 有关化学位移伪影的叙述,下列哪项是错误的()A、化学位移伪影是一种装备伪影B、化学位移伪影与呼吸运动无关C、化学位移伪影与主磁场强度有关D、化学位移伪影与观察视野有关E、化学位移伪影可以通过改变相位编码来消除

考题 下面有关化学位移描述正确的是()。A、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大

考题 单选题关于化学位移,错误的是(  )。A 化学位移可以引起局部磁场的改变B 化学位移是磁共振波谱的基础C 化学位移饱和成像可用来突出或抑制某种组织的信号D 化学位移特性可消除化学位移伪影E 利用不同分子之间的化学位移,可以生成不同类型的图像

考题 单选题下面有关化学位移描述正确的是()。A 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大

考题 单选题关于化学位移成像的叙述,错误的是(  )。A 化学位移与磁场强度无关B MRS的成像基础是化学位移C 可利用化学位移来实现抑制脂肪成像D 可利用化学位移来实现抑制水成像E 化学位移会导致化学位移伪影

考题 多选题有关化学位移伪影的叙述,下列正确的是()A化学位移伪影是一种装备伪影B化学位移伪影与呼吸运动有关C化学位移伪影与主磁场强度有关D化学位移伪影以观察视野有关E化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别

考题 单选题下面不是脂肪抑制成像技术的是()A 化学位移频率选择饱和技术B 化学位移水-脂反相位饱和成像技术C 幅度选择饱和法D 化学位移成像技术E 水激励技术

考题 单选题下面不是脂肪抑制成像技术的是()A 化学位移频率选择饱和技术B 化学位移水一脂反相位饱和成像技术C 幅度选择饱和法D 化学位移成像技术E 水激励技术

考题 单选题TMS的δ=0,从化合物的结构出发,它的正确含义是()。A 不产生化学位移B 化学位移最大C 化学位移最小