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非晶硒FPD的优点不包括

A.成像环节少
B.量子检出效率高
C.无电离辐射
D.吸收率高
E.灵敏度高

参考答案

参考解析
解析:
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考题 X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出A、可见光B、电子空穴对C、荧光D、正电子E、低能X射线

考题 直接转换FPD利用的光导半导体材料是A、非晶硅B、非晶硒C、CslD、PSLE、非晶碳

考题 间接DR中,位于FPD顶层的是A、非晶硒B、碘化铯C、钨酸钙D、非晶硅E、CCD

考题 非晶硒FPD的优点不包括A、成像环节少B、吸收率高C、灵敏度高D、量子检出效率高E、无电离辐射

考题 非晶砸FPD的优点不包括A.成像环节少B.吸收率高C.灵敏度高D.量子检出效率高E.无电离辐射

考题 间接DR中,位于FPD顶层的是A.非晶硒 B.碘化铯 C.钨酸钙 D.非晶硅 E.CCD

考题 直接FPD中将射线转化为电信号的是A.非晶硅 B.光激励荧光体 C.CCD D.非晶硒 E.光电倍增管

考题 直接FPD中将射线转化为电信号的是()A、非晶硒B、非晶硅C、光激励荧光体D、光电倍增管E、CCD

考题 单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是(  )。A 非晶硅-非晶硒-CCDB CCD-非晶硅-非晶硒C 非晶硒-非晶硅-CCDD 非晶硅-CCD-非晶硒E CCD-非晶硒-非晶硅

考题 单选题非晶硒FPD的优点不包括(  )。A 量子检出效率高B 成像环节少C 灵敏度高D 吸收率高E 无电离辐射

考题 单选题直接FPD中将射线转化为电信号的是()A 非晶硒B 非晶硅C 光激励荧光体D 光电倍增管E CCD

考题 单选题间接DR中,位于FPD顶层的是()A 非晶硒B 碘化铯C 钨酸钙D 非晶硅E CCD