考题
基本放大电路的组成原则有:()
A、发射结正偏B、集电结反偏C、发射结反偏D、集电结正偏E、有一个合适的静点Q
考题
晶体三极管工作于放大区的条件是()。
A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏
考题
晶体三极管用于放大时,则()。
A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结正偏，基集反偏
考题
BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
对图所示的固定偏置电路，以下说法正确的是（ ）。
A．发射结正偏，集电结反偏，电路对正弦交流信号有放大作用
B．发射结反偏，集电结正偏，电路没有放大作用
C．发射结、集电结均处正偏，电路没有放大作用
D．发射结、集电结均处反偏，电路没有放大作用
考题
三极管工作于放大状态的条件是（ ）。A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
考题
晶体三极管用于放大时则（）A发射结反偏，基电结反偏。B发射结正偏，基电结反偏。C发射结正偏，基电结正偏。D发射结反偏，基电结正偏。
考题
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
三极管放大区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
晶体三极管用于放大时，应使其（）。A、収射结正偏、集电结反偏B、収射结正偏、集电结正偏C、収射结反偏、集电结正偏D、収射结反偏、集电结反偏
考题
晶体三极管工作在放大区的条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结正偏D、不确定正反偏
考题
晶体三极管工作在放大状态时，应满足（）。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置应为（）。A、发射结零偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
三极管起放大作用的外部条件是（）。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏
考题
NPN型三极管在共射极电路中，如果三极管工作在放大区，则应是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
考题
三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、.发射结反偏、集电结反偏
考题
三极管工作在放大状态时，其偏置应为（）A、发射结零偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结反偏
考题
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
三极管放大区的条件为（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏或零偏，集电结反偏C、射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏
考题
晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
考题
单选题工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A
发射结正偏，集电结反偏B
发射结反偏，集电结正偏C
发射结、集电结均反偏D
发射结、集电结均正偏
考题
填空题放大电路应遵循的基本原则是（）结正偏；集电结（）偏。
考题
单选题晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A
发射结正偏、集电结反偏B
发射结正偏、集电结正偏C
发射结反偏、集电结正偏D
.发射结反偏、集电结反偏