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双向可控硅元件按照门极板和主端子极性的可能组合，下列触发方式正确的是（）。

  • A、Ⅰ+触发方式：T1为正，门极的极性相对T2为负
  • B、Ⅰ-触发方式：T1为正，门极的极性相对T2为正
  • C、Ⅲ+触发方式：T1为负，门极的极性相对T2为正
  • D、Ⅲ-触发方式：T1为负，门极的极性相对T2为负

参考答案

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考题 当单相半波可控硅整流装置交流电源电压为220伏时，则应该选用（）。A、220伏的可控硅元件B、300伏的可控硅元件C、500伏的可控硅元件D、250伏的可控硅元件
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考题 双向晶闸管的触发方式有多种，实际应用中经常采用的触发方式组合有（）。 A、Ⅰ+ Ⅲ-B、Ⅰ+ Ⅲ+C、Ⅰ- Ⅲ-D、Ⅰ- Ⅲ+E、Ⅰ+ Ⅱ-
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考题 双向晶闸管的触发方式有多种，实际应用中经常采用的触发方式组合是I-Ⅲ-及（）。A、Ⅰ+Ⅲ-B、Ⅰ+Ⅲ+C、Ⅰ+ Ⅱ-D、Ⅰ-Ⅲ+
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考题 在正常条件下可控硅导通时，其门极、阴极间加入一个适当的（）电压和电流。A、触发B、正向触发C、反向触发D、正向导通
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考题 可控硅元件一旦导通后，如欲要使可控硅元件关断，可通过以下哪些方法（）。A、可减小阳极电流到维持电流（维持可控硅导通的最小电流）以下B、加大阳极电压C、加上反压来实现D、关断门极电压
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考题 双向晶闸管的触发方式有多种，实际应用中经常采用的触发方式组合有（）A、ⅠⅢ+B、Ⅰ-Ⅲ-C、Ⅰ+Ⅱ-D、Ⅰ+Ⅲ+
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考题 直流调速系统的主电路元器件采用（）。A、可控硅B、晶体管C、二极管D、双向可控硅
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考题 可控硅的门极触发电流是从（）极流入晶闸管。A、阳极B、门极C、阴极D、漏极
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考题 无电涌出现时为高阻抗，当出现电压电涌时突变为低阻抗。通常采用放电间隙、充气放电管、闸流管和三端双向可控硅元件做组件的SPD称作（）。A、电压开关型SPDB、限压型SPDC、限流型SPDD、组合型SPD
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考题 双向晶闸管交流开关采用本相电压强触发电路时，双向晶闸管采用（）组合触发方式A、І+，І-B、І+，Ⅲ-C、І-，Ⅲ+D、І-，Ⅲ-
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考题 双向晶闸管元件有І+，І-，Ⅲ+，Ⅲ-等四种触发方式，其中（）触发方式的触发灵敏度最低，实际应用中不采用A、І+B、І-C、Ⅲ+D、Ⅲ-
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考题 单选题直流调速系统的主电路元器件采用（）。A 可控硅B 晶体管C 二极管D 双向可控硅
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考题 多选题双向可控硅的触发方式有哪些（）。AⅠ+触发方式：T1为正，门级的极性相对T2为正BⅠ-触发方式：T1为正，门级的极性相对T2为负CⅢ+-触发方式：T1为负，门级的极性相对T2为正DⅢ+-触发方式：T1为负，门级的极性相对T2为负
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考题 判断题可控硅整流装置主回路与移相触发电路的交流电源接入的相序应相同，否则，可控硅整流装置不能正确动作。A 对B 错
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