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已知:A=DBH R4=73H CY=1,指令:SUBB A,R4执行后的结果是()。

  • A、A=73H
  • B、A=DBH
  • C、A=67H
  • D、以上都不对

参考答案

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考题 以下指令中不属于逻辑移位的指令是()。A.LSLR0,R1B.LSR R2,R3,3C.ASR R4,R5D.LSR R6,R7

考题 若R3=0,R4=0xF912341F,则指令BIC R3,R4,0x80000001执行后,R3的值为___【15】____,R4的值为___【16】____。

考题 A.-R4/R3·ui B.-R2/(R1+R2)·R4/R3·ui C.R2/(R1+R2)·R4/R3·ui D.R4/R3·ui

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考题 有一复杂电路,已知E1=E2=E3=25V,R1=R2=R3=1Ω,R4=0.5Ω,试用节点电位法求各支路电流。

考题 指令“LDMIAR0!,{R1,R2,R3,R4}”的寻址方式为()A、立即寻址B、寄存器间接寻址C、多寄存器寻址D、堆栈寻址

考题 下列指令中属于逻辑或指令的是()。A、ORLA,R1B、ANLA,R2C、XRLA,R3D、ADDA,R4

考题 下列表达式中()首先进行的运算是COS()(SIEMENS系统)。A、R1=R6-R3*COS(R4)/R2B、R1=R6*(R2+R3*COS(R4+R5))C、R1=R6/R2-R3*COS(R4)D、R1=R2+R3*COS(R4*R5))E、R1=COS(R4)*R6/R2-R3

考题 已知4个电阻R1=R2=10Ω,R3=R4=20Ω,并联,求总电阻?

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考题 下列指令中属于堆栈操作类指令的是()A、PUSHACCB、MULABC、JNC35HD、XCHA,R4

考题 已知R0=45H,A=0DAH,片内地址45H的字节值为68H,执行指令”AddA,@R0”以后,A、CY、OV分别为()A、A=1FH,CY=1OV=0B、A=43H,CY=1OV=0C、A=20H,CY=1OV=1D、A=42H,CY=1OV=1

考题 已知a=0f8h,当执行adda,#0a9h指令后,psw中ov:0、cy:1、ac:1、p:1a:-95。()

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考题 已知程序执行前,在AT89S51单片机片内RAM中,(A)=85H,(R0)=20H,(20H)=0AFH,(Cy)=1,(21H)=0FFH。写出下列指令独立执行后寄存器和存储单元的内容,若该指令影响标志位,写出CY、AC、OV和P的值。 ADD  A,@R0; ADDC A, 21H;   SWAP A     ;  SUBB A,#50H;   DEC R0    ; XCHD A,@R0;

考题 已知:A=11H,B=04H,执行指令DIV AB后,其结果:A=04H,B=1CY=OV=0。

考题 在一电路中,共有4个用电器,已知用电器的电阻R1、R2、R3、R4都为9Ω,将R1、R2和R3并联,再与R4串联组成串并联电路,求该电路的总电阻值?

考题 已知R1=3ΩR2=4ΩR3=6ΩR4=4Ω,求这四个电阻并联时的总电阻和串联时的总电阻?

考题 单选题已知R3=0x80001000,R4=0x00A00010,执行ARM指令MOV R3,R4,LSL#8后,R3的值为()。A 0x80001000B 0x00A00010C 0xA0001000D 0x0000A000

考题 单选题在无转发机制的五段基本流水线(取指、译码/读寄存器、运算、访存、写回寄存器)中,下列指令序列存在数据冒险的指令对是(  )。I1:add R1,R2,R3;(R2)+(R3)→R1I2:add R5,R2,R4;(R2)+(R4)→R5I3:add R4,R5,R3;(R5)+(R3)→R4I4:add R5,R2,R6;(R2)+(R6)→R5A I1和I2B I2和I3C I2和I4D I3和I4

考题 单选题指令“LDMIAR0!,{R1,R2,R3,R4}”的寻址方式为()A 立即寻址B 寄存器间接寻址C 多寄存器寻址D 堆栈寻址

考题 单选题在指令LDR R3,[R4,#4]!执行后,R4中的值为()。A 不变B R4+1C R4+4D 4