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高能电子线的剂量跌落区位于哪个深度剂量之后()

  • A、50%
  • B、60%
  • C、75%
  • D、85%
  • E、95%

参考答案

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考题 高能电子束的PDD曲线可大致分为A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区

考题 高能电子线的剂量跌落区位于哪个深度剂量之后A、50%B、60%C、75%D、85%E、95%

考题 高能电子线的剂量学特点是A、随能量增加,皮肤剂量加大B、随能量增加,皮肤剂量减小C、随能量增加,皮肤剂量不变D、10MeV之后随能量增加,皮肤剂量减小E、10MeV之后随能量增加,皮肤剂量不变

考题 根据IEC标准,电子线的半影定义在哪个深度的平面()A、最大剂量深度B、90%剂量深度C、90%剂量深度的50%D、80%剂量深度E、80%剂量深度的50%

考题 不属于高能电子束百分深度剂量的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、X射线污染区E、剂量跌落区

考题 高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区,治疗肿瘤时应使靶区位于()A、剂量建成区B、高剂量坪区C、剂量建成区和高剂量坪区D、高剂量坪区和剂量跌落区E、剂量跌落区和X射线污染区

考题 关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。A、大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区B、大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区C、大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

考题 不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()A、剂量建成区B、高剂量坪区C、X射线污染区D、剂量跌落区E、指数衰减区

考题 关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、剂量跌落区E、X射线污染区

考题 电子射程的含义为()A、电子线中心轴上最大剂量点的深度RiooB、电子线PDD剂量跌落最陡点的切线与Dm水平线交点的深度C、电子线入射表面下0.5cmD、有效治疗点深度R85E、固定深度2cm

考题 单选题电子射程的含义为()A 电子线中心轴上最大剂量点的深度R100B 电子线PDD剂量跌落最陡点的切线与Dm水平线交点的深度C 电子线入射表面下0.5cmD 有效治疗点深度R85E 固定深度2cm

考题 单选题高能电子线的剂量跌落区位于哪个深度剂量之后()。A 50%B 60%C 75%D 85%E 95%

考题 单选题不属于高能电子束百分深度剂量的是()A 剂量建成区B 低剂量坪区C 高剂量坪区D X射线污染区E 剂量跌落区

考题 单选题高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域()A 剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B 表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C 表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D 表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E 剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区